[发明专利]陶瓷分离膜结构体以及其制造方法

权利要求书

1.一种陶瓷分离膜结构体，其含有：

陶瓷多孔质体，

配置于所述陶瓷多孔质体之上的沸石分离膜，和

由有机无机杂化二氧化硅修补材料形成的修补部，

所述多孔质体具有由形成有大量细孔的多孔质构成的间隔墙，

由所述间隔墙形成了作为流体流路的孔单元，在所述孔单元的内壁面上形成有所述沸石分离膜以及所述修补部，

所述修补部形成于缺陷部，所述缺陷部为所述孔单元的内壁面之中，未覆盖有所述沸石分离膜的表面所露出的缺陷部，

所述陶瓷多孔质体的形状为一体型结构体状，

所述修补部为通过使所述修补材料的溶胶沿着沸石分离膜的表面流下的流下法，使所述修补材料附着在所述沸石分离膜的缺陷部上而形成。

2.根据权利要求1所述的陶瓷分离膜结构体，所述有机无机杂化二氧化硅由硅烷偶联剂或烷氧基硅烷水解、脱水缩合得到。

3.根据权利要求1所述的陶瓷分离膜结构体，所述有机无机杂化二氧化硅由结构式(C₂H₅O)₃SiC_nH_2nSi(C₂H₅O)₃的双三乙氧基硅基化合物水解、脱水缩合得到，式中，n≧1。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的陶瓷分离膜结构体，所述沸石分离膜的沸石为DDR型。

5.一种陶瓷分离膜结构体的制造方法，是权利要求1～权利要求4中任意一项所述的陶瓷分离膜结构体的制造方法，

其在形成所述修补部的修补工序中，

通过使所述修补材料沿着沸石分离膜的表面流下的流下法，使所述修补材料附着在所述沸石分离膜的缺陷部上。

6.根据权利要求5所述的陶瓷分离膜结构体的制造方法，在所述修补工序中，使所述修补材料附着在所述缺陷部上之后，以低于沸石分离膜的模板烧成温度的热处理温度进行热处理。

7.根据权利要求6所述的陶瓷分离膜结构体的制造方法，所述热处理温度为350℃以下。