[发明专利]半导体装置制造用临时粘合用层叠体、和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其是具有(A)剥离层和(B)粘合性层的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，所述(A)剥离层具有：(a1)具有200℃以上的软化点且与(B)粘合性层邻接的第一剥离层；和(a2)具有固化后在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1,4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂、且与所述(a1)第一剥离层邻接的第二剥离层，

所述(B)粘合性层包含：粘结剂；聚合性单体；以及光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，

所述(a1)第一剥离层的软化点为200℃～450℃的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，

所述(a1)第一剥离层含有热塑性树脂。

4.根据权利要求3所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，

所述热塑性树脂为选自聚醚砜树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚苯并咪唑树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺酰亚胺树脂和聚醚酮树脂中的至少一种热塑性树脂。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，

所述(a2)第二剥离层所含的树脂为选自聚碳酸酯树脂、聚氨酯树脂和烃系树脂中的至少一种。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体，其中，

所述(a1)第一剥离层的厚度为1～10μm，所述(a2)第二剥离层的厚度为20～100μm。

7.一种半导体装置的制造方法，其是具有下述已处理部件的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具有以下工序：

使被处理部件的第1面和基板以隔着权利要求1或2所述的半导体装置制造用临时粘合用层叠体的方式粘合的工序；

对所述被处理部件实施在180℃～370℃的范围具有最高到达温度的加热处理，得到已处理部件的工序；和

将所述已处理部件从所述粘合层脱离的工序，

其中，所述第一剥离层是具有比所述加热处理中的最高到达温度更高的软化点的层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，

在使所述被处理部件的第1面和所述基板隔着所述临时粘合用层叠体进行粘合的工序之前，还具有对所述临时粘合用层叠体的粘合性层照射活性光线或放射线、或者热的工序。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，

在将所述被处理部件从所述临时粘合用层叠体脱离的工序之后，还具有利用剥离溶剂除去残留于所述被处理部件的所述临时粘合用层叠体的工序。

10.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述剥离溶剂包含烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其中，

所述剥离溶剂包含环戊烷、正己烷、环己烷、正庚烷、柠檬烯、对薄荷烷、四氢呋喃THF、1,3-二氧戊环、苯甲醚中的至少一种。

12.一种包含剥离溶剂的试剂盒，其包含：包含热塑性树脂的剥离层形成用组合物和粘合性层形成用组合物，其中，所述粘合性层形成用组合物包含固化后在25℃于选自己烷、庚烷、乙酸乙酯、丙酮、甲醇、乙醇、异丙醇、1,4-二噁烷、四氢呋喃、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙酰氧基-1-甲氧基丙烷、乙腈、甲乙酮、环己酮、甲苯、二甲亚砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、氯仿、二氯甲烷、苯甲醚、二甲苯和三甲苯中的溶剂的至少一种中溶解5质量％以上的树脂，

所述粘合性层形成用组合物包含：粘结剂；聚合性单体；以及光聚合引发剂和热聚合引发剂中的至少一种。

13.根据权利要求12所述的试剂盒，其还含有：包含烃系溶剂和醚溶剂中的至少一种的剥离溶剂。