[发明专利]具有容纳室的可拉伸的电子系统在审
申请号: | 201480018412.6 | 申请日: | 2014-02-05 |
公开(公告)号: | CN105340369A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | J·A·罗杰斯;S·许;J·A·范;黄永刚;张一慧;L·贾 | 申请(专利权)人: | 伊利诺伊大学评议会;西北大学 |
主分类号: | H05K1/03 | 分类号: | H05K1/03 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 容纳 拉伸 电子 系统 | ||
1.一种电子系统,包括:
i.一个衬底;
ii.一个电子器件或器件部件,所述电子器件或器件部件由所述衬底支撑;其中所述电子器件或器件部件是独立式的或被栓系到所述衬底;以及
iii.一个容纳室,所述容纳室至少部分地封闭所述电子器件或器件部件;其中所述容纳室被至少部分地填充有容纳流体或低模量固体。
2.一种电子系统,包括:
i.一个超低模量层;
ii.一个衬底,所述衬底由所述超低模量层支撑;
iii.一个电子器件或器件部件,所述电子器件或器件部件由所述衬底支撑;其中所述电子器件或器件部件是独立式的或被栓系到所述衬底;以及
iv.一个容纳室,所述容纳室包括多个侧壁和一个顶壁,至少部分地封闭所述电子器件或器件部件;其中所述容纳室被至少部分地填充有容纳流体或低模量固体;
v.其中所述衬底具有的杨氏模量大于所述超低模量层的杨氏模量且所述顶壁具有的杨氏模量大于所述容纳流体或所述低模量固体的杨氏模量,使得所述系统的杨氏模量分布图沿着大体上垂直于所述超低模量层的轴线在空间上变化。
3.根据权利要求2所述的系统,其中所述超低模量层包括共聚酯
4.根据权利要求2所述的系统,其中所述超低模量层具有的杨氏模量小于或等于150KPa。
5.根据权利要求2所述的系统,其中所述超低模量层具有选自50KPa至150Pa的范围内的杨氏模量。
6.根据权利要求1或2所述的系统,其中所述电子器件或器件部件的独立式配置或栓系配置使所述衬底的运动或变形与所述电子器件或器件部件至少部分地断开联系。
7.根据权利要求1或2所述的系统,其中所述电子器件或器件部件的独立式配置或栓系配置使由所述衬底的伸长、压缩或变形生成的力与所述电子器件或器件部件至少部分地断开联系。
8.根据权利要求1或2所述的系统,其中所述电子器件或器件部件被设置在所述衬底的接收表面上或被设置在一个中间结构上,所述中间结构被设置在所述衬底和所述电子器件或器件部件之间。
9.根据权利要求8所述的系统,其中所述容纳室包括一个或多个封闭结构,所述一个或多个封闭结构被安置成包围所述电子器件或器件部件的外部部分。
10.根据权利要求9所述的系统,其中所述容纳室的所述一个或多个封闭结构在操作上联接到所述接收表面或一个中间结构,所述中间结构被设置在所述接收表面和所述一个或多个封闭结构之间。
11.根据权利要求9所述的系统,其中所述容纳室的所述一个或多个封闭结构不与所述电子器件或器件部件物理地接触。
12.根据权利要求9所述的系统,其中所述封闭结构包括一个或多个室壁或屏障结构,所述一个或多个室壁或屏障结构中的每个都被安置成距离所述电子器件或器件部件的侧面至少10微米。
13.根据权利要求9所述的系统,其中所述容纳室还包括设置在所述衬底内、部分地包围所述电子器件或器件部件的一个或多个凹进特征,其中所述一个或多个封闭结构被设置成封闭所述凹进特征。
14.根据权利要求13所述的系统,其中所述容纳室的所述凹进特征包括一个或多个室壁或屏障结构,所述一个或多个室壁或屏障结构中的每个都被安置成距离所述电子器件或器件部件的侧面至少10微米。
15.根据权利要求9所述的系统,其中所述容纳室的所述封闭结构的至少一部分被层压到所述衬底或一个中间结构,所述中间结构被设置在所述衬底和所述封闭结构之间。
16.根据权利要求9所述的系统,还包括与所述电子器件或器件部件电接触的一个或多个可拉伸的电互连线。
17.根据权利要求9所述的系统,其中所述容纳室的所述封闭结构具有选自1KPa至1GPa的范围内的杨氏模量。
18.根据权利要求1或2所述的系统,其中所述容纳室包括所述容纳流体不可渗透的材料。
19.根据权利要求1或2所述的系统,其中所述容纳室包括弹性体。
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