[发明专利]导电膜形成用组合物、导电膜、及配线基板

权利要求书

1.一种导电膜形成用组合物，其至少包括含有氟原子的迁移抑制剂、及金属粒子

所述导电膜形成用组合物所形成的导电膜包括：自所述导电膜的露出表面至相当于整体厚度的1/10的深度位置的表层区域、及所述表层区域以外的内部区域，所述导电膜包括含有氟原子的迁移抑制剂，所述表层区域中所含的所述迁移抑制剂的质量Y大于所述内部区域中所含的所述迁移抑制剂的质量X，

其中所述迁移抑制剂包括选自由通式(1)～通式(5)所表示的化合物、通式(22)所表示的化合物、通式(23)所表示的化合物、及具有通式(24)所表示的基及通式(25)所表示的基的化合物所组成的组群中的至少一种，

P-(CR1＝Y)nQ 通式(1)

通式(1)中，P及Q分别独立地表示OH、NR2R3或CHR4R5；R2及R3分别独立地表示能够经氢原子或氮原子取代的基；R4及R5分别独立地表示氢原子或取代基；Y表示CR6或氮原子；R1及R6分别独立地表示氢原子或取代基；

R1、R2、R3、R4、R5、或R6所表示的基中的至少两个基互相键结形成环或未互相键结形成环；n表示0～5的整数；其中，在n为0时，P及Q两者不为CHR4R5，P及Q两者也不为OH；在n表示2以上的数时，(CR1＝Y)所表示的多个原子群可相同也可不同；

此外，R1～R6的至少一个基中包含氟原子；

R7-C(＝O)-H 通式(2)

通式(2)中，R7表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将所述基组合而成的基；此外，R7所表示的基中的一部分或全部氢原子经氟原子取代；另外，R7所表示的基中包含羟基或-COO-所表示的基、或者未包含羟基或-COO-所表示的基；

通式(3)中、R8、R9及R10分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将所述基组合而成的基；此外，R8～R10的至少一个基中的一部分或全部氢原子经氟原子取代；

通式(4)中，R11及R12分别独立地表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将所述基组合而成的基；此外，R11～R12的至少一个基中的一部分或全部氢原子经氟原子取代；

Z-SH 通式(5)

通式(5)中，Z表示烷基、烯基、炔基、芳基、杂环基、或将所述基组合而成的基；此外，Z所表示的基中的一部分或全部氢原子经氟原子取代；另外，Z所表示的基中包含取代基或未包含取代基；

通式(22)中，Rf1表示具有醚性氧原子且氢原子的至少一个经氟原子取代的碳数22以下的氟烷基、不具有醚性氧原子且氢原子的至少一个经氟原子取代的碳数22以下的氟烷基、或氟原子；X1表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；L1表示单键或碳数1～6的亚烷基；L2表示单键、经羟基或氟原子取代的碳数1～6的亚烷基、或者未经羟基或氟原子取代的碳数1～6的亚烷基；L3表示单键或碳数1～6的亚烷基；Y1及Z1表示单键、-CO2-、-CO-、-OC(＝O)O-、-SO3-、-CONR222-、-NHCOO-、-O-、-S-、-SO2NR222-、或-NR222-；R222表示氢原子或碳数1～5的烷基；R221表示氢原子、碳数1～8的直链或分支状的烷基、或Rf1-CFX1-L1-Y1-L2-Z1-L3-；

其中，Y1及Z1均为单键以外的情况时，L2表示经氟原子取代的碳数1～6的亚烷基或未经氟原子取代的碳数1～6的亚烷基；

通式(23)中，R231及R232分别独立地表示氢原子或烷基；R233及R234分别独立地表示氢原子或取代基；Y2表示单键、-CO-、或-COO-；Rf2表示碳数1～20的直链或分支状的全氟亚烷基、或碳数1～20的直链或分支状的全氟醚基；Y2为单键或-CO-时，n表示0，m表示0～6的整数；在Y2为-COO-时，n表示1或2，m表示1至6的整数；p表示2～3的整数，l表示0～1的整数，满足p+l＝3的关系；

*-CFXRf 通式(25)

通式(24)中，R241、R242、R243、及R244分别独立地表示氢原子或取代基；*表示键结位置；

通式(25)中，X表示氢原子、氟原子、或三氟甲基；Rf表示具有醚性氧原子且氢原子的至少一个经氟原子取代的碳原子数20以下的氟烷基、不具有醚性氧原子且氢原子的至少一个经氟原子取代的碳原子数20以下的氟烷基、或氟原子；*表示键结位置。