[发明专利]用于取消磁场的抵消电路有效
申请号: | 201480017320.6 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN105452905B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 戈登·福克斯·韦斯特;彼得·怀特·沃克;本杰明·戴维·波尔策 | 申请(专利权)人: | 淡水河谷公司 |
主分类号: | G01V3/165 | 分类号: | G01V3/165;G01V3/10 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 薛晶晶 |
地址: | 巴西里*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 取消 磁场 抵消 电路 | ||
1.一种抵消发射器,其包括:
发射电路,其包括发射器回路;
发射器回路框架,其用以支撑所述发射器回路,所述发射器回路框架为实质上刚性的;
发射器,其适于用具有已知波形的发射电流来激励所述发射电路以便形成初级磁场;
多个单独的实质上平面抵消回路,每一者在尺寸上比所述发射器回路小,且每一抵消回路的半径不同,并且每一抵消回路的半径小于所述发射器回路的半径,沿着实质上平行于所述初级磁场的局部方向的轴同轴布置且由电流控制器用电流激励;
实质上刚性支架,所述抵消回路中的每一者附加到所述实质上刚性支架,所述支架附接至所述发射器回路框架,其中所述抵消回路相对于所述初级磁场的几何方面稳定定位;
调零轴,其从平行于所述抵消回路的平面沿垂直方向双向地延伸到所述调零轴的每一端处的端点;
其中
抵消磁场是通过所述抵消回路中的电流形成在抵消体积内,所述抵消体积实质上以所述调零轴为中心,
所述端点位于所述抵消磁场无法实质上取消所述初级磁场之处,
所述抵消磁场实质上在与所述初级磁场相反的方向上,且在量值上与所述初级磁场实质上相等,使得所述抵消磁场实质上取消所述抵消体积内的所述初级磁场,从而使得一个或多个磁场传感器在所述抵消体积内的占据的位置改变时,所述一个或多个磁场传感器处的磁场仍然被抵消。
2.根据权利要求1所述的抵消发射器,其中所述多个抵消回路包括第一抵消回路及第二抵消回路,所述第一及第二抵消回路为实质上圆形的。
3.根据权利要求2所述的抵消发射器,其中所述第一抵消回路及所述第二抵消回路布置在共用平面中,所述第一抵消回路在几何形状上比所述第二抵消回路小。
4.根据权利要求3所述的抵消发射器,其中所述共用平面包括所述发射器回路的平面,所述第一抵消回路及所述发射器回路的磁矩为在相同方向上实质上平行,且所述第二抵消回路及所述发射器回路的磁矩为实质上相反。
5.根据权利要求2所述的抵消发射器,其中所述第一及第二抵消回路各自经安置而具有相同有效半径、匝数且在所述相同方向上具有磁矩,其中所述抵消回路中的每一者沿共用轴的方向从所述发射器平面偏移。
6.根据权利要求5所述的抵消发射器,其中所述抵消回路与所述发射器回路同轴,所述第一及第二抵消回路从所述发射器回路的所述平面偏移达相等距离且在相反方向上,且其中所述第一抵消回路、所述第二抵消回路的所述磁矩为实质上平行且与所述发射器回路的所述磁矩相反。
7.根据权利要求1所述的抵消发射器,其中将电流供应到所述发射器回路及所述抵消回路的电连接是选自由以下各项组成的群组:双股线、同轴线及其组合。
8.根据权利要求1所述的抵消发射器,其中所述发射器回路及所述抵消回路经安置以形成串联电路,借此用于所述抵消回路的所述电流控制器为所述发射器。
9.根据权利要求1所述的抵消发射器,其中抵消回路及其电流控制器形成第一电路且所述发射器回路及所述发射器形成第二电路。
10.根据权利要求1所述的抵消发射器,其包括电流传感器及数据记录器,其中测量并记录所述发射器回路中的所述电流。
11.根据权利要求1所述的抵消发射器,其包括电流传感器及数据记录器,其中测量并记录抵消回路中的所述电流。
12.根据权利要求1所述的抵消发射器,其包括:对所述发射器回路及所述抵消回路的几何结构做出响应的感测构件,及数据记录器,其中所述感测构件经安置以对所述发射器回路及所述抵消回路的形状及位置做出响应,且所述数据记录器记录由所述感测构件输出的数据。
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