[发明专利]放置台及等离子体处理装置

说明书

本发明是一种放置台及等离子体处理装置，在放置通过还原性自由基来进行处理的被处理基板的放置台中，所述放置台包括：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；及邻接于所述放置面的非放置面，所述非放置面的至少一部分的表面被不与还原性自由基发生还原反应的材料所覆盖。

技术领域

本发明涉及一种放置台及等离子体处理装置。

背景技术

作为用于进行对形成在半导体装置制造用的硅片、曝光掩模用的玻璃基板等被处理基板上的抗蚀层进行剥离的灰化处理的装置，存在利用等离子体的等离子体处理装置。

在进行灰化处理等的等离子体处理时，有时会将从等离子体生成的自由基作为主体而进行化学处理。例如，在一般称之为远程等离子体处理装置的等离子体发生区域与处理容器隔离的等离子体处理装置中进行处理时，在放电管内发生等离子体，通过使因等离子体而生成的等离子体生成物中寿命也长的活性物质(自由基)到达被处理基板表面上，从而进行处理。

在这样的等离子体处理装置中，如专利文献1所示，预先进行用气体耐腐蚀性、耐热性出色的氧化铝膜(Al₂O₃)来覆盖处理容器内的构件(例如放置被处理基板的放置台)表面的处理。

另外，如专利文献2所示，近几年在灰化处理中作为对抗蚀层的底膜的损伤少的处理气体而有时会使用氢气等的还原性气体。

但是，存在如下问题，当用氧化铝膜覆盖处理容器内的构件(例如放置被处理基板的放置台)表面时，即使自由基到达处理容器，也与处理容器内的氧化铝膜发生反应而自由基失去活性。

尤其，通过含氢气体来进行灰化处理时，含氢气体的因等离子体而生成的氢自由基与包含在氧化铝膜中的氧发生反应，从而失去活性。这样，在使用氢等还原性气体而进行等离子体处理时，从还原性气体的等离子体生成的还原性自由基与引起还原反应的构件发生反应，从而失去活性。因此，存在接近放置台表面的氧化铝膜等引起还原反应的构件的区域即被处理基板的周缘部的灰化速率降低的问题。

专利文献1：日本国特开平8-195343号公报

专利文献2：日本国特开2006-13190号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种放置台及等离子体处理装置，其抑制还原性自由基失去活性，能够提高等离子体处理效率。

根据实施方式所涉及的等离子体处理装置，其特征在于，具备：处理容器，能够维持低于大气压的气氛；放置台，设置在所述处理容器内，用于放置由还原性自由基进行处理的被处理基板；等离子体发生部，具有等离子体发生区域和气体供给部，所述气体供给部向所述等离子体发生区域导入还原性气体；及开口部，设置在比所述放置台靠上方，将气体供给到所述处理容器内，所述气体包含由所述等离子体发生部产生的还原性自由基，所述放置台具备：在俯视时被所述被处理基板所覆盖的放置面；邻接于所述放置面、未被所述被处理基板覆盖并与含有还原性自由基的气体碰撞的非放置面；及放置部，所述放置部在所述处理中，以从所述放置面突出而在所述被处理基板的背面与所述放置面之间形成间隔的方式保持所述被处理基板，在所述被处理基板被放置在所述放置部时，所述非放置面位于比所述被处理基板的处理面靠下方，所述放置面及所述非放置面的表面由与还原性自由基不发生还原反应且抑制还原性自由基失去活性的材料所覆盖。

根据本发明，抑制还原性自由基中的活性物质失去活性，能够提高等离子体处理效率。

附图说明

图1是用于例示第1实施方式所涉及的等离子体处理装置的模式剖视图。

图2(a)及图2(b)是在从断面观察被处理基板W时的图。

图3(a)～图3(c)是比较第1实施方式与现有实施方式的灰化速率分布图。