[发明专利]板和包括该板的晶圆双侧研磨设备在审

专利信息
申请号: 201480016975.1 申请日: 2014-01-20
公开(公告)号: CN105102187A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 金大勋 申请(专利权)人: LG矽得荣株式会社
主分类号: B24B37/08 分类号: B24B37/08;H01L21/304
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 浦彩华;姚开丽
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 包括 晶圆双侧 研磨 设备
【权利要求书】:

1.一种用于研磨晶圆的晶圆双侧研磨设备,包括:

上平板,所述上平板布置在所述晶圆上方;

下平板,所述下平板布置在所述晶圆的下方面对所述上平板;

载具,所述载具布置在所述上平板和所述下平板之间,并且所述晶圆被附接至所述载具;以及

内齿轮和太阳齿轮,所述内齿轮被布置在所述下平板的外圆周侧,所述太阳齿轮被布置在所述下平板的内圆周侧,

其中,在所述下平板的顶表面中沿第一方向限定有多个第一平板凹槽,并且

在所述下平板的顶表面中沿第二方向限定有多个第二平板凹槽,所述第二方向不同于所述第一方向,

其中,在所述第一平板凹槽和所述第二平板凹槽中限定有第一平板凹槽部分和第二平板凹槽部分,并且所述第一平板凹槽和所述第二平板凹槽中的每一个朝向所述下平板的中心或者外圆周具有台阶差。

2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一平板凹槽和所述第二平板凹槽是沿横向方向和纵向方向限定在所述下平板的顶表面中的线形凹槽。

3.根据权利要求1所述的设备,设置有多个所述第一平板凹槽部分,并且所述多个第一平板凹槽部分沿横向方向设置在所述下平板的顶表面中,并且

所述第一平板凹槽部分的深度从所述下平板的太阳齿轮朝向所述内齿轮逐渐增大。

4.根据权利要求1所述的设备,其中,设置有多个所述第二平板凹槽部分,并且所述多个第二平板凹槽部分沿纵向方向设置在所述下平板的顶表面中,并且

所述第二平板凹槽部分的深度从所述下平板的太阳齿轮向所述内齿轮逐渐增大。

5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个相对于所述下平板的顶表面具有大约5°至大约10°的倾斜角。

6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个相对于所述下平板的顶表面具有大约5cm至大约10cm的台阶差。

7.根据权利要求1所述的设备,其中,通过所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个的倾斜,用于研磨所述晶圆的浆料通过所述第一平板凹槽部分和第二平板凹槽部分中的每一个在太阳齿轮侧排放。

8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个还包括位于所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分的中部的排放孔,所述排放孔具有预定的大小。

9.根据权利要求8所述的设备,其中,用于研磨所述晶体的浆料的一部分在朝向所述太阳齿轮流动时通过所述排放孔排放,并且未被排放的浆料通过所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个在太阳齿轮侧排放。

10.根据权利要求1所述的设备,其中,不经过所述太阳齿轮的第一平板凹槽部分和第二平板凹槽部分中的每一个具有倾斜部分,所述倾斜部分朝任一侧倾斜。

11.根据权利要求10所述的设备,其中,用于研磨所述晶圆的浆料通过所述第一表面凹槽部分和所述第二表面凹槽部分中的每一个经由所述倾斜部分在内齿轮侧排放。

12.根据权利要求10所述的设备,其中,所述浆料移动到所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分彼此交叉的点处的具有相对较大倾斜角的位置,并且经由所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个在所述内齿轮侧或所述太阳齿轮侧排放。

13.一种设置在晶圆双侧研磨设备中的下平板,所述下平板包括:

多个第一平板凹槽,所述多个第一平板凹槽沿第一方向限定在所述下平板的顶表面中;以及

多个第二平板凹槽,所述多个第二平板凹槽沿第二方向限定在所述下平板的顶表面中,所述第二方向不同于所述第一方向,

其中,在所述第一平板凹槽和所述第二平板凹槽中限定有第一平板凹槽部分和第二平板凹槽部分,并且所述第一平板凹槽和所述第二平板凹槽中的每一个朝向所述下平板的中心或者外圆周具有台阶差。

14.根据权利要求13所述的下平板,其中,所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的每一个具有倾斜部分和排放孔,所述倾斜部分相对于所述下平板的顶表面具有预定角度,所述排放孔用于在所述第一平板凹槽部分和所述第二平板凹槽部分中的中部排放浆料。

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