[发明专利]晶界扩散处理用夹具以及该晶界扩散处理用夹具的容纳用具在审

专利信息
申请号: 201480016960.5 申请日: 2014-03-13
公开(公告)号: CN105051845A 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 佐川真人;高木忍 申请(专利权)人: 因太金属株式会社;大同特殊钢株式会社
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F3/10;H01F1/057;H01F1/08
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 扩散 处理 夹具 以及 容纳 用具
【权利要求书】:

1.一种晶界扩散处理用夹具,其是在晶界扩散处理中用于在加热时载置基材的板状的夹具,该晶界扩散处理是以RL2Fe14B系磁铁为所述基材,使含有包括Dy、Tb以及Ho中的至少一种的重稀土元素RH的附着物附着在该基材的表面并将该基材连同所述附着物一起进行所述加热,该RL2Fe14B系磁铁是含有以轻稀土元素RL为主的稀土元素的烧结磁体或者热塑性加工磁铁,该轻稀土元素RL是Nd和Pr中的至少一种,该晶界扩散处理用夹具的特征在于,

在板状的基座的表面配置有顶端的表面是陶瓷制的多个突起,该多个突起以该顶端处于一个平面内的方式配置。

2.根据权利要求1所述的晶界扩散处理用夹具,其特征在于,将所述陶瓷制的涂层施加于由与该陶瓷不同的材料形成的突起状构件的顶端的表面而形成所述突起。

3.根据权利要求1或2所述的晶界扩散处理用夹具,其特征在于,所述陶瓷是氧化铝、氧化锆、二氧化钛、碳化硅、氮化硅、氮化铝、二氧化硅、氧化镁或氧化钇,或者这些物质的化合物或混合物。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的晶界扩散处理用夹具,其特征在于,所述突起的形状是锥状或者凸曲面状。

5.根据权利要求1~3中任一项所述的晶界扩散处理用夹具,其特征在于,所述突起的顶端的平面形状为线状。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的晶界扩散处理用夹具,其特征在于,将所述突起设于板状的基座的表面和背面这两面。

7.根据权利要求6所述的晶界扩散处理用夹具,其特征在于,所述基座的表面的突起与背面的突起配置为在所述基座上的位置不对齐。

8.一种晶界扩散处理用夹具容纳用具,其是用于容纳权利要求1~7中任一项所述的晶界扩散处理用夹具的夹具容纳用具,其特征在于,该晶界扩散处理用夹具容纳用具具有:

框体;

上部嵌合部和下部嵌合部,该上部嵌合部设于所述框体的上部,该下部嵌合部设于所述框体的下部,该上部嵌合部和该下部嵌合部能够互相嵌合;以及

支承部,其自所述框体向该框体的内侧延伸,并利用其周缘的至少局部来支承所述晶界扩散处理用夹具的基座,

在使所述上部嵌合部与所述下部嵌合部嵌合了的状态下的该夹具容纳用具的节距高度比用于进行晶界扩散处理的基材的高度与晶界扩散处理用夹具的高度之和大。

9.一种晶界扩散处理用夹具容纳用具,其是用于容纳权利要求6或7所述的晶界扩散处理用夹具的夹具容纳用具,其特征在于,该晶界扩散处理用夹具容纳用具具有:

框体;

上部嵌合部和下部嵌合部,该上部嵌合部设于所述框体的上部,该下部嵌合部设于所述框体的下部,该上部嵌合部和该下部嵌合部能够互相嵌合;以及

支承部,其自所述框体向该框体的内侧延伸,并利用其周缘的至少局部来支承所述晶界扩散处理用夹具的基座,

在使所述上部嵌合部与所述下部嵌合部嵌合了的状态下的该夹具容纳用具的节距高度等于用于进行晶界扩散处理的基材的高度与晶界扩散处理用夹具的高度之和。

10.一种晶界扩散处理用夹具容纳用具,其是用于容纳晶界扩散处理用的夹具的夹具容纳用具,其特征在于,该晶界扩散处理用夹具容纳用具具有:

框体;

上部嵌合部和下部嵌合部,该上部嵌合部设于所述框体的上部,该下部嵌合部设于所述框体的下部,该上部嵌合部和该下部嵌合部能够互相嵌合;以及

支承部,其自所述框体向该框体的内侧延伸,并利用其周缘的至少局部来支承所述晶界扩散处理用夹具的基座,

所述框体的高度比用于进行晶界扩散处理的基材的高度与晶界扩散处理用夹具的高度之和大。

11.根据权利要求8~10中任一项所述的晶界扩散处理用夹具容纳用具,其特征在于,所述框体是碳制的。

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