[发明专利]具有背栅的finFET

权利要求书

1.一种双栅极finFET(1000)，包括：

至少两个鳍(FIN)，其实现沟道；

背栅(BG)，其放置在鳍之间；以及

前栅(FG)，其放置在鳍的外侧。

2.根据权利要求1所述的双栅极finFET，其中，前栅围绕鳍和背栅。

3.根据前述权利要求中的任一项所述的双栅极finFET，其中，到背栅的连接是在不与前栅竖直重叠的区域形成的。

4.根据前述权利要求中的任一项所述的双栅极finFET，其中鳍是通过自对准工艺产生的。

5.根据权利要求4所述的双栅极finFET，进一步包括用于自对准工艺的至少一个遮罩区域(1601)，所述遮罩区域优选为位于鳍的上方。

6.根据前述权利要求中的任一项所述的双栅极finFET，其中，双栅极finFET(1001)在优选为SOI晶片的绝缘体上半导体晶片上实现，而背栅在绝缘体的下方连接至的晶片的体半导体层(BLK)。

7.根据权利要求1至5中的任一项所述的双栅极finFET，其中，双栅极finFET(2001)在半导体晶片上实现，而背栅(1401)至少从finFET的源极或漏极向外延长至背栅接触部(2903)。

8.根据权利要求7所述的双栅极finFET，其中，在其中背栅得到延长的finFET的源极或漏极中，沿着背栅放置鳍。

9.根据前述权利要求中的任一项所述的双栅极finFET(1001)，其中，在双栅极finFET的漏极和源极中的至少一个中的鳍(1034)之间的空间中包含与鳍相同的材料。

10.根据前述权利要求中的任一项所述的双栅极finFET，其中，用于前栅的材料(1800)、和/或用于背栅的材料(1400)、和/或鳍与前栅之间的绝缘材料(1700)、和/或鳍与背栅之间的绝缘材料(1301、2300、3300)在鳍中引入了机械应力。

11.一种用于双栅极finFET的，尤其是根据任一前述权利要求的双栅极finFET的双栅极finFET的制造工艺，包括下列步骤：

在半导体层(1030)中至少刻蚀开口(1032)；

在开口内实现背栅(1401)；

在开口的侧方，在半导体层上实现至少两个遮罩区域(1601)；以及

在使用遮罩区域的情况下刻蚀半导体层，以便获得finFET的至少两个鳍(1033)。

12.根据权利要求11所述的制造工艺，其中，在使用遮罩区域的情况下刻蚀半导体层以便获得finFET的至少两个鳍的步骤是自对准步骤。

13.根据权利要求11或12中的任一项所述的制造工艺，进一步包括下述步骤：在实现背栅的步骤之前，至少在半导体层中的开口(1032)的壁上实现绝缘层(1301、2300、3300)。

14.根据权利要求11至13中的任一项所述的制造工艺，其中，在半导体层中刻蚀开口的步骤在源极和漏极区域中的至少一个中不进行。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的制造工艺，进一步包括下述步骤：通过选择用于背栅和/或用于绝缘层的材料来控制鳍的机械应力。