[发明专利]支撑基板以及半导体用复合晶片

权利要求书

1.一种支撑基板，是半导体用复合晶片的支撑基板，

所述支撑基板由多晶陶瓷烧结体形成，在所述支撑基板的外周边缘部有切口，所述切口由烧结面形成。

2.根据权利要求1所述的支撑基板，其中，所述烧成面的表面粗糙度Ra在0.5μm以下。

3.根据权利要求1或2所述的支撑基板，其中，所述烧成面通过凝胶注塑成形而成形。

4.根据权利要求1或2所述的支撑基板，其中，所述多晶陶瓷烧结体通过带状成形体的烧结而制作，所述带状成形体是使用目标形状的金属模具进行冲裁加工而成的，所述烧成面通过所述带状成形体的所述冲裁加工而成形。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的支撑基板，其中，所述多晶陶瓷烧结体为透光性氧化铝。

6.根据权利要求1～5任意一项所述的支撑基板，其中，依据的是SEMI标准。

7.一种半导体用复合晶片，具有权利要求1～6任意一项所述的支撑基板、以及与所述支撑基板的接合面接合的施主基板。

8.根据权利要求7所述的复合晶片，其中，所述施主基板由单晶硅构成。