[发明专利]复合涂层及其制造方法

权利要求书

1.一种经涂覆的制品，其包括：

基材，所述基材包括金属或非金属基体中的含硅的区域；和

设置在所述基材表面上的涂层，该涂层包括至少一个基本上由MoSi₂或WSi₂或(Mo, W)Si₂或铂族金属硅化物构成的金属硅化物层，和

至少一个基本上由Si₃N₄构成的层。

2.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中所述至少一个金属硅化物层与所述基材的表面接触。

3.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中所述至少一个Si₃N₄层与所述基材的表面接触。

4.权利要求1所述的经涂覆的制品，其还包括：

在所述至少一个金属硅化物层和所述至少一个Si₃N₄层之间的至少一个过渡区域，该过渡区域包括金属硅化物层和Si₃N₄二者的混合物。

5.权利要求1所述的经涂覆的制品，其还包括：

多个基本上由MoSi₂或WSi₂或(Mo, W)Si₂或铂族金属硅化物构成的金属硅化物层；和

多个基本上由Si₃N₄构成的层，其中金属硅化物和Si₃N₄的层是交替的。

6.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中所述至少一个金属硅化物层和所述至少一个Si₃N₄层的厚度比为所述涂层提供基本上等于基材热膨胀系数的热膨胀系数。

7.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中所述基材包括SiC、Si₃N₄、过渡金属硅化物和/或硅作为增强或基体相。

8.权利要求1所述的经涂覆的制品，其还包括：

环境屏障涂层和热屏障涂层中的至少一个，设置在所述涂层上。

9.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中Si₃N₄按涂层体积计的百分比大于55％。

10.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中至少一个基本上由MoSi₂构成的金属硅化物层以体积计是所述涂层的1％-45％。

11.权利要求1所述的经涂覆的制品，其中所述至少一个金属硅化物层基本上由MoSi₂构成，并且至少一个MoSi₂层的厚度与至少一个Si₃N₄层的厚度之比是0.01-0.75。

12.一种经涂覆的制品，其包括：

包括含硅的区域的基材，该含硅的区域包括金属基体或非金属基体中的SiC、Si₃N₄、过渡金属硅化物和/或硅作为增强材料；和

设置在所述基材表面上的涂层，该涂层包括MoSi₂和Si₃N₄，其中按体积计，Si₃N₄的百分比大于所述涂层的55％。

13.权利要求12所述的经涂覆的制品，其中MoSi₂和Si₃N₄在混合物中。

14.权利要求13所述的经涂覆的制品，其中该混合物是功能分级的。