[发明专利]发光结构和底座

说明书

在根据本发明的实施例的方法中，提供了包括多个发光二极管（LED）的发光结构。每个LED包括p接触部和n接触部。提供第一底座和第二底座。每个底座包括阳极焊盘和阴极焊盘。阳极焊盘与p接触部对准，且阴极焊盘与n接触部对准。该方法还包括将发光结构安装在第一底座和第二底座之一上。在多个LED之间的第一底座上的电连接不同于在多个LED之间的第二底座上的电连接。第一底座在与第二底座不同的电压下操作。

技术领域

本发明涉及发光结构，其可安装在不同的底座上或在不同取向中的单个底座上以便在不同的电压下操作发光结构。

背景技术

包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔激光二极管（VCSEL）和边缘发射激光器的半导体发光器件在当前可得到的最有效的光源之中。在能够跨可见光谱工作的高亮度发光器件的制造中当前感兴趣的材料系统包括第III-V族半导体，特别是镓、铝、铟和氮的二元、三元和四元合金，也被称为III-氮化物材料。一般，通过借助于金属-有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术使具有不同成分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层在蓝宝石、碳化硅、III-氮化物或其它适当的衬底上外延地生长来制造III-氮化物发光器件。叠层常常包括掺杂有例如Si的在衬底上形成的一个或多个n型层、在n型层或多个n型层之上形成的有源区中的一个或多个发光层和掺杂有例如Mg的在有源区之上形成的一个或多个p型层。电接触部在n型和p型区上形成。

US 6547249在摘要中教导了“串联或并联的LED阵列在高电阻衬底上形成，使得阵列的p和n接触部都在阵列的同一侧上。个体的LED通过沟槽或通过离子注入与彼此电隔离。沉积在阵列上的互连连接在阵列中的个体LED的接触部。在一些实施例中，LED是在蓝宝石衬底上形成的III-氮化物器件。…在一个实施例中，在单个衬底上形成的多个LED被串联地连接。在一个实施例中，在单个衬底上形成的多个LED被并联地连接”。

发明内容

本发明的目的是提供多个不同的底座或可布置在多个不同的取向中的单个底座，单个发光结构可安装在底座上以便在不同的电压下操作发光结构。

在根据本发明的实施例的方法中，提供了包括多个发光二极管（LED）的发光结构。每个LED包括p接触部和n接触部。提供了第一底座和第二底座。每个底座包括阳极焊盘和阴极焊盘。至少一个阳极焊盘与p接触部对准，且至少一个阴极焊盘与n接触部对准。该方法还包括将发光结构安装在第一和第二底座之一上。在多个LED之间的第一底座上的电连接不同于在多个LED之间的第二底座上的电连接。第一底座在与第二底座不同的电压下操作。

本发明的实施例包括发光结构，其包括多个发光二极管（LED）。每个LED具有布置在n型区和p型区之间的发光层、布置在p型区上的p接触部和布置在n型区上的n接触部。发光结构附接到底座。n接触部和p接触部在第一取向和第二取向之一中附接到底座。第一取向在与第二取向不同的电压下操作。

附图说明

图1图示根据本发明的实施例的方法。

图2是包括多个发光二极管的发光结构的横截面视图。

图3是底座的横截面视图，图2的发光结构可安装在底座上。

图4是包括四个LED的发光结构的平面图。

图5、6和7是底座的平面图，图4的发光结构可安装在底座上。在图5、6和7中图示的每个底座可在不同的电压下操作。

图8是包括四个LED的发光结构的平面图。

图9、10和11是底座的平面图，图8的发光结构可安装在底座上。在图9、10和11中图示的每个底座可在不同的电压下操作。

图12是包括两个LED的发光结构的平面图。