[发明专利]具有一致传感器表面区域的化学传感器

权利要求书

1.化学传感器，其包括：

化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体；

材料，其限定延伸至所述浮栅导体的上表面的开孔；和

导电元件，其接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离，所述距离由第一电介质的厚度限定；

所述材料包括在第二电介质下方的第一电介质，其中所述开孔包括在所述第一电介质中的下部和在所述第二电介质中的上部，所述开孔的所述下部的宽度小于所述上部的宽度，使得所述导电元件在所述第一电介质的上表面之上延伸。

2.权利要求1所述的化学传感器，其中所述导电元件包括限定所述化学传感器的反应区域的下部的内表面，和第二电介质包括限定所述开孔的上部的内表面。

3.权利要求1所述的化学传感器，其中所述导电元件延伸横跨所述浮栅导体的上表面，以限定所述化学传感器的反应区域的底部表面。

4.权利要求1所述的化学传感器，其中所述导电元件包括导电材料，和所述导电元件的内表面包括所述导电材料的氧化物。

5.权利要求1所述的化学传感器，其中所述化学传感器的传感表面包括所述导电元件的内表面。

6.权利要求1所述的化学传感器，其中所述化学灵敏的场效应晶体管响应于在所述导电元件附近发生的化学反应而产生传感器信号。

7.制造化学传感器的方法，所述方法包括：

形成化学灵敏的场效应晶体管，其包括具有上表面的浮栅导体；

形成第一电介质材料，其限定延伸至所述浮栅导体的上表面的开孔；和

形成导电元件，其接触所述浮栅导体的上表面并且沿着所述开孔的侧壁延伸一定的距离并且在所述第一电介质的上表面上延伸，所述距离由第一电介质的厚度限定；

在所述第一电介质之上并且在所述导电元件上形成第二电介质；以及

蚀刻第二电介质，以暴露所述导电元件，其中所述开孔包括在所述第一电介质中的下部和在所述第二电介质中的上部，所述开孔的所述下部的宽度小于所述上部的宽度。

8.权利要求7所述的方法，其中所述导电元件延伸横跨所述浮栅导体的上表面，以限定所述化学传感器的反应区域的底部表面。