[发明专利]具有用于在化学气相沉积系统中改善加热均匀性的器件的晶片承载器

权利要求书

1.一种应用于通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器总成，其特征在于，晶片承载器总成包含：

绕中心轴线对称设置的晶片承载器本体，包括垂直于中心轴线设置的总体上平坦的上表面；

至少一个从上表面凹入晶片承载器本体的晶片保持凹穴，至少一个晶片保持凹穴的每一个包括沿总体上平行于总体平坦的上表面的方向延伸的底面和从上表面朝向底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在绕中心轴线旋转时将晶片保持在周壁内；以及

晶片保持凹穴具有总体平直的周壁部分以及圆形壁部分以容纳具有至少一个平直边缘的晶片，其中邻近总体平直的周壁部分的底面部分具有升高的部分，所述升高的部分与邻近晶片保持凹穴的圆形壁部分的底面部分相比从上表面更少地凹进。

2.根据权利要求1所述的晶片承载器总成，其特征在于，底面的升高的部分包括平直部。

3.根据权利要求1所述的晶片承载器总成，其特征在于，在其上保持晶片的至少一个平直边缘的底面的部分包括从晶片保持凹穴的周壁到晶片保持凹穴的中心的向下的倾斜。

4.根据权利要求3所述的晶片承载器总成，其特征在于，底面的向下的倾斜部分包括凹的向下的倾斜部分。

5.根据权利要求3所述的晶片承载器总成，其特征在于，底面的向下的倾斜部分包括直线向下的倾斜部分。

6.根据权利要求3所述的晶片承载器总成，其特征在于，晶片保持凹穴的周壁表面包括至少一个设置为与保持的晶片的至少一个平直的边缘对应的总体上平直的部分。

7.一种应用于通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器总成，其特征在于，晶片承载器总成包含：

绕中心轴线对称设置的晶片承载器本体，包括垂直于中心轴线设置的总体上平坦的上表面；

至少一个从上表面凹入晶片承载器本体的晶片保持凹穴，至少一个晶片保持凹穴的每一个包括沿总体上平行于上表面的方向延伸的底面和从上表面朝向底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成所述晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在绕中心轴线旋转时经由总体平直的周壁部分和圆形壁部分将晶片保持在周壁内；以及

晶片保持凹穴进一步设置为容纳具有至少一个平直边缘的晶片，其中晶片保持凹穴包括沿着周壁设置的并且形成与至少一个总体平直的周壁部分对应的内周壁的嵌入间隔装置。

8.根据权利要求7所述的晶片承载器总成，其特征在于，嵌入的间隔装置包括具有适于容纳到环形的晶片保持凹穴内的环形外周壁的环形结构，并且包括与晶片的至少一个平直的边缘对应的至少一个平直的内部。

9.根据权利要求7所述的晶片承载器总成，其特征在于，嵌入的间隔装置由相对于晶片承载器本体具有热绝缘特征的材料制成。

10.一种应用于通过化学气相沉积(CVD)在一个或多个晶片上生长外延层的系统中的晶片承载器总成，其特征在于，晶片承载器总成包含：

绕中心轴线对称设置的晶片承载器本体，包括垂直于中心轴线设置的总体上平坦的上表面；

至少一个从上表面凹入晶片承载器本体的晶片保持凹穴，至少一个晶片保持凹穴的每一个包括总体上平行于上表面延伸的底面和从上表面朝向平坦底面向下延伸的周壁表面，周壁表面外接底面并且形成所述晶片保持凹穴的周壁，晶片保持凹穴用于在绕中心轴线旋转时经由总体平直的周壁部分和圆形壁部分将晶片保持在周壁内；以及

晶片保持凹穴进一步设置为容纳具有位于总体平直的周壁部分处的至少一个平直边缘的晶片，其中总体平直的部分设置为与保持的晶片的至少一个平直的边缘对应。

11.根据权利要求10所述的晶片承载器总成，其特征在于，周壁表面的至少一个总体上平坦的部分具有突出到晶片保持凹穴内的凸出的弯曲。