[发明专利]使用触敏拉姆波的声触装置和方法有效

专利信息
申请号: 201480015391.2 申请日: 2014-03-12
公开(公告)号: CN105122194B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 大卫·S·赫克特;丹尼尔·H·沙尔夫;乔尔·C·肯特;圭-德·孙;竹内正夫 申请(专利权)人: ELO触摸技术公司
主分类号: G06F3/043 分类号: G06F3/043
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 彭愿洁;彭家恩
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 触摸传感器 高灵敏度 触摸装置 触摸区 基底 传播表面声波 触摸位置 触摸系统 分散技术 共振 衰减 电路 传播
【权利要求书】:

1.一种触摸装置,其特征在于,包括:

具有正面和背面的基底,所述正面具有触摸区,所述触摸装置用于在所述背面的至少一部分上传播表面声波和在基底的触摸区的至少一部分中传播由表面声波转换的近-纵向-共振拉姆波,其中:

所述近-纵向-共振拉姆波以相速度VP通过触摸区传播;

所述表面声波以速度VSAW在背面上传播;和

VP为至少约三倍VSAW

2.如权利要求1所述的触摸装置,其特征在于:

所述近-纵向-共振拉姆波在工作频率f下通过触摸区传播;

所述基底具有体积压力波速度VLONG

所述基底具有厚度d,和

d大于(m/2)*(VLONG/f)且小于(5/4)*(m/2)*(VLONG/f),其中m是正整数。

3.如权利要求1所述的触摸装置,其特征在于,进一步包括触摸区外的所述基底背面上的模式转换阵列,所述模式转换阵列用于将沿着模式转换阵列长度以第一方向传播的表面声波相干散射成通过触摸区以第二方向传播的近-纵向-共振拉姆波。

4.如权利要求3所述的触摸装置,其特征在于:

所述模式转换阵列包括沿着第一方向放置的多个反射器元件;和

所述多个反射器元件从玻璃烧结物、陶瓷、装载的聚合物和蚀刻的沟槽中的至少一种形成。

5.如权利要求3所述的触摸装置,其特征在于:

第一方向和第二方向限定散射角Φ;

所述模式转换阵列包括沿着第一方向放置的多个反射器元件,多个反射器元件中的每个反射器元件以相对于第一方向的反射器角θ放置;和

cos(θ)/VSAW = cos(θ–Φ)/VP

6.如权利要求5所述的触摸装置,其特征在于:

所述近-纵向-共振拉姆波在工作频率f下通过触摸区传播;和

通过S = n*(VSAW/f)/(1-(VSAW/Vp)*cos(Φ))给出沿着第一方向的多个反射器元件中的两个连续反射器元件之间的距离S,其中n是整数。

7.如权利要求3所述的触摸装置,其特征在于,所述散射角Φ是90°。

8.如权利要求3所述的触摸装置,其特征在于,所述模式转换阵列通过声学有益层耦合基底的背面,所述声学有益层用于降低从基底背面至这个面的表面声波振荡。

9.如权利要求1所述的触摸装置,其特征在于,进一步包括:

所述基底背面上的用于产生表面声波的换能器;和

用于产生具有驱动换能器的工作频率f的激发信号的控制器,所述激发信号包括围绕工作频率f的频率扩展Δf

其中近-纵向-共振拉姆波以具有频率扩展Δf的工作频率f通过基底的触摸区传播。

10.如权利要求9所述的触摸装置,其特征在于,所述控制器进一步用于抵抗激发信号分散,具有用于补偿由近-纵向共振拉姆波以频率扩展Δf通过基底传播引起的近-纵向-共振拉姆波的分散的频率依赖性相位误差。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ELO触摸技术公司,未经ELO触摸技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480015391.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top