[发明专利]具有二次窗密封的抛光垫有效
申请号: | 201480015298.1 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN105144349B | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 拉杰库马尔·阿拉加萨米;永琪·胡;西蒙·亚沃伯格;佩里亚·戈帕兰;克里斯托弗·R·马洪 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国,赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 二次 密封 抛光 | ||
1.一种用于化学机械抛光设备的抛光垫,包含:
抛光制件,所述抛光制件具有抛光表面及穿过所述抛光制件形成的孔,所述孔包括与所述抛光表面相邻的第一区段及与所述第一区段相邻的第二区段,其中所述抛光制件包括向内延伸至所述孔中的突出部,以使得所述第一区段具有与所述第二区段不同的横向尺寸,所述突出部具有大体上平行于所述抛光表面的第一表面,所述抛光制件在远离所述抛光表面的所述第一表面的侧上包括下部;
窗,所述窗具有位于所述孔的所述第一区段中的第一部分及延伸至所述孔的所述第二区段中的第二部分,所述窗具有大体上平行于所述抛光表面的第二表面;
第一黏合剂,所述第一黏合剂将所述突出部的所述第一表面黏合至所述窗的所述第二表面,以将所述窗固定至所述突出部;及
第二黏合剂,所述第二黏合剂具有与所述第一黏合剂不同的材料成分,所述第二黏合剂横向地位于所述窗的所述第二部分与所述抛光制件的所述下部之间。
2.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述孔的所述第一区段比所述孔的所述第二区段宽,且所述突出部与所述孔的所述第二区段横向地相邻。
3.如权利要求2所述的抛光垫,其中所述第一表面为所述突出部的上表面,且所述第二表面为所述窗的下表面。
4.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述孔的所述第一区段比所述孔的所述第二区段窄,且所述突出部与所述孔的所述第一区段横向地相邻。
5.如权利要求4所述的抛光垫,其中所述第一表面为所述突出部的下表面,且所述第二表面为所述窗的上表面。
6.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述抛光制件包含抛光层及背托层,所述抛光层具有所述抛光表面,所述背托层提供所述下部。
7.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述第二黏合剂对所述窗具有比所述第一黏合剂更大的黏合力。
8.如权利要求1所述的抛光垫,其中所述第二黏合剂横向地位于所述第一黏合剂与所述窗的所述第二部分之间。
9.如权利要求1所述的抛光垫,包含形成在所述窗的所述第二部分中的凹槽。
10.一种在抛光垫中形成窗的方法,包含以下步骤:
在抛光制件中形成孔,以使得所述抛光制件包括向内延伸至所述孔中的突出部,且所述孔的第一区段具有与所述孔的第二区段不同的横向尺寸,所述突出部具有大体上平行于所述抛光制件的抛光表面的第一表面,所述抛光制件在远离所述抛光表面的所述第一表面的侧上包括下部;
使用第一黏合剂将窗固定于所述孔中,所述第一黏合剂将所述抛光制件的所述第一表面黏合于所述窗的第二表面;
将液体前驱物分配至在所述窗与所述抛光制件的所述下部之间的间隙中;及
固化所述液体前驱物以形成与所述第一黏合剂不同成分的第二黏合剂。
11.如权利要求10所述的方法,其中所述第一表面为所述突出部的上表面,且所述第二表面为所述窗的下表面。
12.如权利要求10所述的方法,其中所述第一表面为所述突出部的下表面,且所述第二表面为所述窗的上表面。
13.如权利要求10所述的方法,其中固化所述液体前驱物的步骤包含施加紫外线(UV)光。
14.如权利要求10所述的方法,其中固定所述窗的步骤包含施加压敏黏合剂至所述第一表面或所述第二表面中的至少之一,并且抵靠所述第二表面而按压所述第一表面。
15.如权利要求10所述的方法,其中形成所述孔的步骤包含在抛光层中形成所述孔的所述第一区段且在背托层中形成所述孔的所述第二区段。
16.如权利要求10所述的方法,其中固化所述液体前驱物的步骤形成所述第二黏合剂,所述第二黏合剂对所述窗具有比所述第一黏合剂更大的黏合力。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造