[发明专利]导电层合体及其制造方法在审
申请号: | 201480014788.X | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN105190784A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 大井亮;渡边修 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B32B7/02;H01B13/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;马妮楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 合体 及其 制造 方法 | ||
1.一种导电层合体,是在基材上具有含有碳纳米管的导电层的导电层合体,所述导电层表面的水接触角为20°以上40°以下。
2.如权利要求1所述的导电层合体,其中,所述导电层中含有无机氧化物。
3.如权利要求2所述的导电层合体,其中,所述无机氧化物为二氧化硅。
4.如权利要求1~3中任一项所述的导电层合体,其中,所述导电层的厚度为20~300nm。
5.如权利要求1~4中任一项所述的导电层合体,其中,所述导电层合体满足下述[A]~[B]中至少一项:
[A]全光线透过率为80%以上93%以下,表面电阻值为1×100Ω/□以上1×104Ω/□以下,
[B]导电层光吸收率为1%以上10%以下,表面电阻值为1×100Ω/□以上1×104Ω/□以下。
6.权利要求1~5中任一项所述的导电层合体的制造方法,在基材上形成含有碳纳米管的层后,实施外涂处理,形成导电层。
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