[发明专利]用于聚光光伏的包含堆叠的太阳能电池的高效率太阳能接收器在审
| 申请号: | 201480014243.9 | 申请日: | 2014-03-14 |
| 公开(公告)号: | CN105229795A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
| 发明(设计)人: | M.梅特尔;E.梅纳;C.鲍威尔 | 申请(专利权)人: | 森普留斯公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/18;H01L31/043;H01L31/054 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 申屠伟进;王传道 |
| 地址: | 美国北卡*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 聚光 包含 堆叠 太阳能电池 高效率 太阳能 接收器 | ||
1.一种太阳能接收器,包括:
第一光伏电池;
第二光伏电池,在所述第一光伏电池上并且与所述第一光伏电池电气独立;以及
多层电介质堆叠,在第一和第二光伏电池之间,所述多层电介质堆叠包括至少两个具有不同的折射率的电介质层。
2.权利要求1的太阳能接收器,其中所述多层电介质堆叠包括:
第一电介质层;
中间电介质层,在所述第一电介质层上并且比所述第一电介质层具有更低的折射率;以及
第二电介质层,在所述中间电介质层上并且比所述中间电介质层具有更高的折射率。
3.权利要求2的太阳能接收器,其中所述多层电介质堆叠限定在比所述第一电介质层具有更高的折射率的第一光伏电池的半导体层和比所述第二电介质层具有更高的折射率的第二光伏电池的半导体层之间的界面。
4.权利要求3的太阳能接收器,其中第一和第二光伏电池包括各自的具有不同的晶格常数的半导体材料。
5.权利要求1的太阳能接收器,其中第一和/或第二光伏电池分别包含至少两个传导端子。
6.权利要求1的太阳能接收器,其中第一和/或第二光伏电池是单结或多结光伏电池。
7.一种太阳能接收器,包括:
第一光伏电池;
第二光伏电池,在所述第一光伏电池上并且与所述第一光伏电池串联电气连接,第一和第二光伏电池包括各自的具有不同的晶格常数的半导体材料,其中在第一和第二光伏电池之间的接合界面出现在各自的半导体材料之间。
8.权利要求7的太阳能接收器,其中电流直接通过所述接合界面。
9.权利要求7的太阳能接收器,其中所述太阳能接收器具有小于大约4平方毫米的光接收面积。
10.权利要求7的太阳能接收器,其中在第一和第二光伏电池之间的接合界面是不良电导体。
11.权利要求10的太阳能接收器,其中在第一和第二光伏电池之间的接合界面包括:
第一导电层,在所述第一光伏电池的顶部处;
第二导电层,在所述第二光伏电池的基底处;并且进一步包括:
电气连接,在第一和第二导电层之间。
12.权利要求11的太阳能接收器,其中在所述第二光伏电池的基底处的所述第二导电层包括与所述第二光伏电池晶格匹配并且具有比所述第一光伏电池的带隙更大的带隙的掺杂的半导体。
13.权利要求12的太阳能接收器,其中在所述第一光伏电池的顶部处的第一导电层包括与所述第一光伏电池晶格匹配并且具有比所述第一光伏电池的带隙更大的带隙的掺杂的半导体。
14.权利要求11的太阳能接收器,其中在第一和第二导电层之间的电气连接包括在第一和第二光伏电池的有源区域外部延伸的金属导体。
15.权利要求2的太阳能接收器,其中所述中间电介质层的厚度和电介质强度比第一和第二电介质层的厚度和电介质强度更大。
16.权利要求15的太阳能接收器,其中第一和第二电介质层包括金属氧化物,并且其中所述中间电介质层包括二氧化硅或氮化硅。
17.权利要求4的太阳能接收器,其中第一和第二光伏电池之一包括高带隙半导体材料,并且其中第一和第二光伏电池中的另一个包括低带隙半导体材料。
18.权利要求17的太阳能接收器,其中第一和/或第二光伏电池是具有在所述第二光伏电池的半导体层和所述多层电介质堆叠的第二电介质层之间的接合界面的转印电池。
19.一种制作太阳能接收器的方法,所述方法包括:
在第一光伏电池上形成多层电介质堆叠,所述多层电介质堆叠包括至少两个具有不同折射率的电介质层;以及
将第二光伏电池堆叠在所述多层电介质堆叠上,其中所述第二光伏电池与所述第一光伏电池电气独立。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





