[发明专利]半导体元件搭载用引线框及其制造方法有效
| 申请号: | 201480013852.2 | 申请日: | 2014-03-18 |
| 公开(公告)号: | CN105190878B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
| 发明(设计)人: | 吉元亮一;山下良平 | 申请(专利权)人: | 友立材料株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/50 | 分类号: | H01L23/50 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 元件 搭载 引线 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及搭载半导体元件的引线框、特别是半导体元件搭载部和端子部的形状。
背景技术
对于搭载半导体元件的引线框而言,提高密封用树脂相对于与半导体元件连接并与外部连接的端子部的密合性,是提高产品的可靠性的重要的一点,为了提高与树脂的密合性,从而防止端子部脱落,而提出有各种技术。具体而言,存在有在端子部的上表面侧形成突起部(檐部)的技术、使侧面粗糙化的技术等。
例如,在专利文献1中公开了一种这样的技术,该技术是通过从正反面实施蚀刻而在侧面形成凹凸的技术,对于该技术,能够在以往的从正反面进行的蚀刻加工中,通过使正面侧的蚀刻掩膜和背面侧的蚀刻掩膜存在差异地形成来应对,在蚀刻与金属板的厚度相同程度的厚度或小于等于金属板的厚度的距离时,通过形成使正面侧较小程度地开口且使背面侧较大程度地开口的蚀刻掩膜来制造引线框,从而达成目的。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-151069号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在利用上述以往技术的情况下,尽管是为了提高与树脂之间的密合性而形成的突起部,但在其顶端成为锐角的情况下,会在密封树脂产生裂纹,因此,需要使突起部的顶端为大致平面或者使其截面形成为具有圆弧状的轮廓。
特别是在QFN(quad flat non-leaded package)、LED用的引线框的情况下,设计为元件搭载面的端面相对于安装后露出的表面的端面扩展(日文:オーバーハング),而作为一个防止树脂剥离的对策发挥功能,但将如下不良情况视为问题:在切成单片时,在与刮片之间摩擦时引起的、因较高的热历程而导致的膨胀/收缩、振动的影响下,树脂自引线框剥离,而在市场上谋求进一步提高树脂密合性。
于是,本发明即是鉴于上述问题点而做成的,其目的在于提供有效地满足了与密封树脂之间的密合性的半导体元件搭载用引线框。
用于解决问题的方案
为了达成上述目的,本发明的一实施方式的半导体元件搭载用引线框的特征在于,在半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的一个侧面或两个侧面具有突起部,该突起部突出到比该搭载部的上表面的缘和下表面的缘或端子部的上表面的缘和下表面的缘靠水平方向的部位,该突起部的顶端为大致平面或该突起部的顶端的截面呈具有圆弧状的轮廓的形状,并且该突起部为厚壁。
另外,本发明的一实施方式的半导体元件搭载用引线框的特征在于,在半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的一个侧面或两个侧面形成有突起部,该突起部的上表面侧突出到比上述半导体元件搭载部的下表面的缘或端子部的下表面的缘靠水平方向的部位且在该突出的上表面侧的下方进一步向斜下方延伸,从而该突起部突出到比上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘靠水平方向的部位且自上述半导体元件搭载部的上表面或端子部的上表面向下方突出,该突起部的顶端具有25μm以上的厚度且带有圆角。
另外,本发明的一实施方式的半导体元件搭载用引线框的特征在于,在半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的侧面形成有突起部,该突起部的上表面侧突出到比上述半导体元件搭载部的下表面的缘或端子部的下表面的缘靠水平方向的部位且在该突出的上表面侧的下方进一步突出到比上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘靠水平方向的部位,该突起部自其顶端部的下方侧的角进一步向下表面延伸。
发明的效果
采用本发明的一实施方式,在半导体元件搭载部的侧面或端子部的侧面上不仅向水平方向形成突起部,向高度方向也形成突起部,从而能较强地应对来自所有方向的应力,且也增加了与树脂之间的接触面积,由此,能够防止在切成单片时由因热历程而产生的膨胀/收缩引起的树脂剥离及在切成单片时因振动而产生的树脂剥离。
附图说明
图1是用于说明本发明的试验例的突起部的形成工序的主要部位放大图。
图2是用于说明在图1的工序中形成的突起部顶端的形状及大小的主要部位放大图。
图3是用于说明本发明的一实施方式的突起部的形态的说明图。
图4是用于说明本发明的一实施方式的突起部的形成工序的主要部位放大图。
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