[发明专利]用于治疗癌症的T-型钙通道抑制剂

权利要求书

1.一种鉴定应用于抑制细胞周期进展穿过G1/S检查点、抑制细胞增生性疾病中的细胞增生和/或增强辐射和/或化学治疗剂在治疗细胞增生性疾病中的效力的化合物的方法，所述方法包括：

确定当将细胞的第一细胞膜电位保持在约-70mV至约-110mV范围内的电位时，抑制细胞中的T-型Ca²⁺通道活性的化合物；和

基于所述确定，鉴定应用于抑制细胞周期进展穿过G1/S检查点、抑制细胞增生性疾病中的细胞增生和/或增强辐射和/或化学治疗剂在治疗细胞增生性疾病中的效力的化合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述细胞的第一细胞膜电位保持在约-80mV至约-100mV范围内的电位。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将所述细胞的第一细胞膜电位保持在约-90mV的电位。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括确定第一IC₅₀，其为当将细胞保持在第一细胞膜电位时抑制T-型钙通道活性的化合物的IC₅₀。

5.根据任意权利要求4所述的方法，其中鉴定用于所述应用的化合物是基于确定第一IC₅₀是约1000μM或更小。

6.根据任意权利要求4所述的方法，其中鉴定用于所述应用的化合物是基于确定第一IC₅₀是约10μM或更小。

7.根据权利要求4-6中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括确定所述化合物的第二IC₅₀，其中所述第二IC₅₀是当将细胞保持在约-30mV至约-60mV范围内的第二细胞膜电位时抑制细胞中的T-型钙通道活性的化合物的IC₅₀。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二细胞膜电位是在约-30mV至约-50mV的范围内。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述第二细胞膜电位是约-40mV。

10.根据权利要求7-9中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括，基于确定第一IC₅₀与第二IC₅₀的比率是约20∶1或更小，优选约10∶1或更小，鉴定用于所述应用的化合物。

11.根据权利要求7-9中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括，基于确定第一IC₅₀与第二IC₅₀的比率是约1∶1或更小，优选约1∶10或更小，鉴定用于所述应用的化合物。

12.根据权利要求7-11中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括，基于确定第一IC₅₀与第二IC₅₀的比率是约20∶1或更小，优选约10∶1或更小，鉴定所述化合物具有降低的神经元介导的副作用易感性。

13.根据权利要求7-11中的任一项所述的方法，所述方法进一步包括，基于确定第一IC₅₀与第二IC₅₀的比率是约1∶1或更小，优选约1∶10或更小，鉴定所述化合物具有降低的神经元介导的副作用易感性。

14.根据权利要求1-13中的任一项所述的方法，其中使用膜片箝技术控制所述细胞膜电位。

15.根据权利要求1-14中的任一项所述的方法，其中通过确定化合物的抑制生长因子刺激的向细胞中的钙输入的能力，确定所述化合物的抑制T-型Ca²⁺通道活性的能力。

16.根据权利要求15所述的方法，其中通过使用钙敏感的标记测量细胞内钙水平的增加，确定向细胞中的钙输入。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述钙敏感的标记是钙敏感的荧光染料。

18.根据权利要求1-17中的任一项所述的方法，所述方法包括鉴定应用于抑制细胞周期进展穿过G1/S检查点的化合物。

19.根据权利要求1-17中的任一项所述的方法，所述方法包括鉴定应用于抑制细胞增生性疾病中的细胞增生的化合物。