[发明专利]具有为改进效率配置的低带隙活性层的光敏器件和相关方法

权利要求书

1.一种制造光敏器件的方法，该方法包括以下步骤：

将第一材料层从供体结构转印到第一基板的表面上，所述第一材料层包括含锗的半导体材料和1.50μm或更小的厚度，所述半导体材料展现出0.60eV到2.10eV之间的带隙；

在所述第一材料层上外延生长至少一个附加材料层以增加所述第一材料层的厚度并且形成第一活性层，所述第一活性层包括展现出0.60eV到2.10eV之间的带隙的半导体材料，所述第一活性层具有前表面以及在所述第一活性层的与所述前表面相反的一侧的后表面，在所述光敏器件的操作期间辐射穿过所述前表面进入；

在所述第一活性层上形成包括III-V半导体材料的第二活性层；

在所述第二活性层上形成第三活性层；

在所述第三活性层上形成第四活性层；

在所述第四活性层的与所述第一基板相反的一侧、在所述第四活性层上附接第二基板，使得所述第一活性层、所述第二活性层、所述第三活性层和所述第四活性层形成设置在所述第一基板与所述第二基板之间的活性区域；

将所述第一基板从所述活性区域去除并且暴露所述第一活性层的所述后表面；

在将所述第一基板去除之后对所述第一活性层的所述后表面进行处理，并且使得所述后表面具有比所述第一活性层的所述前表面的表面粗糙度大的表面粗糙度；

在所述第一活性层的粗糙化的所述后表面上形成第一电极；以及

在所述第四活性层上形成第二电极。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将第一材料层从供体结构转印到第一基板的表面上的步骤包括将单晶锗从所述供体结构转印到所述第一基板的表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：在所述第四活性层的与所述第一基板相反的一侧、在所述第四活性层上附接所述第二基板之前，在所述第二基板上形成所述活性区域的至少一个附加活性层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在将所述第一基板去除之后对所述第一活性层的所述后表面进行处理的步骤包括对所述后表面进行化学蚀刻和将所述后表面以机械方式粗糙化中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第一材料层上外延生长至少一个附加材料层以增加所述第一材料层的厚度并且形成第一活性层的步骤包括形成具有10微米或更小的厚度的第一活性层。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：利用至少一种p型掺杂剂对所述第一活性层进行掺杂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，利用至少一种p型掺杂剂对所述第一活性层进行掺杂的步骤包括以下步骤：利用所述至少一种p型掺杂剂对所述第一活性层进行掺杂，使得所述第一活性层内的所述至少一种p型掺杂剂的浓度展现出横跨所述第一活性层的浓度梯度，所述第一活性层内的所述至少一种p型掺杂剂的所述浓度在从所述后表面向所述前表面延伸的方向上减小。