[发明专利]化合物膜的制造方法有效
| 申请号： | 201480012651.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105026606B | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 岸梅工;岩堀恒一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/363 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 庞东成,褚瑶杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 制造 方法 | ||
1.一种化合物膜的制造方法，其在载置于成膜室的基板上形成化合物膜，其中，在所述基板上交替层叠第1化合物层和第2化合物层，所述第1化合物层含有选自金属元素和半金属元素中的1种以上的元素和氧元素，所述第2化合物层含有所述1种以上的元素和氮元素，所述第1化合物层利用过滤电弧离子镀法形成，所述第2化合物层利用溅射法形成，所述第1化合物层是氧化钛，所述第2化合物层是氮化钛。
2.如权利要求1所述的化合物膜的制造方法，其中，形成所述第1化合物层时的所述成膜室的压力小于形成所述第2化合物层时的所述成膜室的压力。
3.如权利要求1或2所述的化合物膜的制造方法，其中，通过改变在所述基板上交替层叠的所述第1化合物层的厚度和所述第2化合物层的厚度的厚度比，来控制氧比例和氮比例，所述氧比例为相对于所述化合物膜中所含的所述1种以上的元素的原子数的氧元素的原子数，所述氮比例为相对于所述化合物膜中所含的所述1种以上的元素的原子数的氮元素的原子数。
4.如权利要求3所述的化合物膜的制造方法，其中，所述氧比例为大于0且为2.0以下的范围，且所述氮比例为大于0且为1.0以下的范围。
5.一种化合物膜，其为形成于基板上的化合物膜，其含有钛、氧和氮，带隙为1.0eV以上且为3.1eV以下；
其中，交替形成第1化合物层和第2化合物层，所述第1化合物层利用过滤电弧离子镀法形成，含有氧化钛，所述第2化合物层利用溅射法形成，含有氮化钛。
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