[发明专利]位置校正量运算装置和校正方法、及带电粒子束照射系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种带电粒子束照射位置的校正程序、带电粒子束照射位置的校正量运算装置、带电粒子束照射系统以及带电粒子束照射位置的校正方法。

背景技术

以往，在使用带电粒子束的平版印刷(Lithography)等描绘工艺中，涂覆在被加工体表面的抗蚀剂因带电粒子束的照射而带电，该带电有时会导致带电粒子束的轨道歪曲，使照射位置产生误差。因此，这成为使形成在被加工体上的描绘图案的位置精度降低的主要原因。

为了抑制这种误差，例如提出了一种技术，根据描绘图案预测被加工体的带电分布，将该带电分布与相对于单一单位带电量的图案偏移量即响应函数的卷积(convolution)作为照射位置的误差量，并根据该误差量算出照射位置的校正量(例如专利文献1)。

然而，虽然在电磁学上电场或电位的叠加原理成立，但是对于空间上的带电粒子的位置函数，叠加原理是不成立的，因此上述根据上述带电分布与响应函数的卷积求出误差量的运算有时无法准确得到其运算结果。

另外，也可以考虑基于预测出的带电分布根据电磁学算出带电粒子束的轨道，并算出照射位置的校正量和误差量。但是，这种情况下，随着带电粒子束靠近被加工体的带电部位，电场强度接近无穷大，超过计算机的性能而陷入无法计算的状态，因此存在无法运算带电部位的误差量和校正量的问题。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-324175号公报

发明内容

发明拟要解决的技术问题

本发明要解决的问题在于提供一种能够准确校正带电粒子束的照射位置并提高描绘图案的位置精度的带电粒子束照射位置的校正程序、带电粒子束照射位置的校正量运算装置、带电粒子束照射系统以及带电粒子束照射位置的校正方法。

用于解决问题的技术手段

本发明通过以下解决手段来解决上述问题。另外，为了便于理解，对本发明的实施方式标注相应的附图标记并进行说明，但并不限于此。而且，标上附图标记并加以说明的结构可以适当变形，而且至少一部分可以用其他结构来代替。

第一发明为一种带电粒子束照射位置的校正程序，用于对照射到涂覆有抗蚀剂(R)的被加工体(M)上的带电粒子束的照射位置进行校正，其特征在于，使计算机(22)作为以下单元而发挥作用：电荷密度分布运算单元，将由照射上述带电粒子束而引起的上述抗蚀剂的带电替换为上述抗蚀剂与上述被加工体的界面的表面电荷，并对替换成的表面电荷的每个网格(A)的电荷密度分布进行运算；轨道运算单元，基于上述电荷密度分布对从上述带电粒子束的出射位置到上述抗蚀剂的表面为止的带电粒子的轨道进行运算；误差量运算单元，基于算出的上述轨道对上述带电粒子束的照射位置的误差量进行运算；以及照射位置校正量运算单元，基于算出的上述误差量对上述带电粒子束的照射位置的校正量进行运算。

第二发明为在第一发明上述的带电粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于，上述轨道运算单元仅基于上述电荷密度分布中由已被上述带电粒子束照射的区域产生的电荷密度来运算上述轨道。

第三发明为在第一发明或第二发明上述的带电粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于，当对上述抗蚀剂多次照射带电粒子束时，上述电荷密度分布运算单元创建与各次照射状况对应的电荷密度分布。

第四发明为在第三发明上述的带电粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于，上述轨道运算单元基于与照射状况对应的上述电荷密度分布来运算与各次照射状况对应的上述轨道，上述误差量运算单元基于与照射状况对应的上述轨道来运算与各次照射状况对应的上述误差量，上述照射位置校正量运算单元基于与照射状况对应的上述误差量来运算与各次照射状况对应的上述校正量，并分别作为上述带电粒子束的各次照射位置的校正量。

第五发明为在第三发明上述的带电粒子束照射位置的校正程序中，其特征在于，上述轨道运算单元基于与照射状况对应的上述电荷密度分布来运算与照射状况对应的上述轨道，上述误差量运算单元基于与照射状况对应的上述轨道来运算与照射状况对应的上述误差量，上述照射位置校正量运算单元基于与照射状况对应的上述误差量来运算与照射状况对应的上述校正量，并将算出的各校正量的平均值作为上述带电粒子束的照射位置的校正量。

第六发明为一种带电粒子束照射位置的校正量运算装置(20)，其特征在于，包括：存储部(21)，存储有第一发明至第五发明中任一项上述的带电粒子束照射位置的校正程序；以及运算部(22)，从上述存储部读取并执行上述校正程序。