[发明专利]固态成像装置、其制造方法和电子设备有效
申请号: | 201480012222.3 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN105027286B | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
发明(设计)人: | 桝田佳明;渡边一史;水田恭平;井上启司;内田博久 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 梁兴龙;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固态成像装置,包括:
基板中的有效像素区域,有效像素配置在所述有效像素区域中;
所述有效像素区域周围的配线区域,电极或配线设置在所述配线区域中;
所述配线区域外侧的周边区域;和
在所述基板上形成的膜,
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述膜在所述配线区域中的截面高度,并且所述膜在所述周边区域中的截面高度和所述膜在夹于所述有效像素区域和所述配线区域之间的中间区域的至少更靠近所述配线区域的部分中的截面高度处于所述膜在所述有效像素区域中的截面高度和所述膜在所述配线区域中的截面高度之间。
2.如权利要求1所述的固态成像装置,
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述有效像素区域。
3.如权利要求1所述的固态成像装置,
其中所述膜在所述中间区域中的台阶部比所述中间区域的宽度的中心更靠近所述配线区域。
4.如权利要求1所述的固态成像装置,
其中下述台阶部的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部:
(i)所述膜在所述中间区域中的台阶部;和/或
(ii)在所述配线区域和所述周边区域之间的台阶部。
5.如权利要求1所述的固态成像装置,
其中,在所述膜上与所述配线区域邻近的邻近区域中,形成有使所述邻近区域具有与所述配线区域大致相同的截面高度的高度调整元件。
6.如权利要求5所述的固态成像装置,
其中所述高度调整元件在所述周边区域和/或所述中间区域中形成在所述邻近区域中。
7.如权利要求5所述的固态成像装置,
其中当所述配线区域的平面形状具有至少一个间隙时,所述高度调整元件被形成为填充所述至少一个间隙。
8.如权利要求5所述的固态成像装置,
其中所述高度调整元件使得所述邻近区域的截面高度与所述配线区域的截面高度大致相同或者大于或等于所述配线区域的截面高度,并且使得包括至少所述配线区域的区域的截面高度大于所述邻近区域的截面高度。
9.如权利要求5所述的固态成像装置,
其中所述高度调整元件的平面形状具有呈圆角形状或斜面形状的至少一个角部。
10.如权利要求1所述的固态成像装置,
其中截面高度小于所述有效像素区域的截面高度的凹部形成在所述膜的在所述中间区域中与所述有效像素区域具有相同截面高度的区域中。
11.如权利要求1所述的固态成像装置,
其中截面高度与所述有效像素区域相同的凹部形成在所述膜的在所述中间区域中与所述周边区域具有相同截面高度的区域中。
12.如权利要求1所述的固态成像装置,还包括:
在所述有效像素区域中的遮光膜,所述遮光膜具有对应于各所述有效像素的光电转换单元的开口,
其中所述膜在所述有效像素区域中的截面高度小于所述遮光膜的截面高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的