[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其中包含：

第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及

栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，

所述单元部包含：

第1导电型的源极区域，以在所述半导体层的表面露出的方式配置；

第2导电型的沟道区域，以与所述源极区域相接的方式配置并且在导通时形成沟道；以及

第1导电型的漏极区域，以与所述沟道区域相接的方式配置，

所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，

所述半导体装置进一步包含：

耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域；以及

源极电极，与所述源极区域及所述耐压构造直接连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述半导体装置进一步包含表面绝缘膜，所述表面绝缘膜以横跨所述单元部及所述外周部的方式配置，并且形成为在所述单元部比在所述外周部的部分更薄。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置进一步包含用于对所述栅极电极取得接触的栅极指，

所述栅极沟槽包含在所述栅极指的下方横切所述栅极指的线状的沟槽。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述栅极沟槽包含：当导通时所述沟道形成在其侧部的内侧沟槽；以及由该内侧沟槽的延长部构成并且相对于该内侧沟槽配置在外侧的外侧沟槽，

所述半导体装置进一步包含形成在所述外侧沟槽的侧部及底部的第2导电型的层。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置进一步包含用于对所述栅极电极取得接触的栅极指，

所述栅极沟槽选择性地形成在所述栅极指的下方区域，

所述半导体装置进一步包含第1导电型的高浓度层，所述高浓度层形成在该下方区域中未形成所述栅极沟槽的所述半导体层的半导体表面，含有杂质浓度高于所述半导体层。

6.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述单元部包含：

第2沟槽，在所述半导体层的所述表面选择性地形成在以包含所述源极区域的方式划分的源极部；以及

第2导电型的沟道接触区域，选择性地配置在所述第2沟槽的底部并且与所述沟道区域电连接。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述单元部包含：

第2沟槽，在所述半导体层的所述表面选择性地形成在以包含所述源极区域的方式划分的源极部；

沟槽埋入部，埋入所述第2沟槽；以及

第2导电型的沟道接触区域，在所述源极部选择性地配置在比所述第2沟槽的底部高的位置并且与所述沟道区域电连接。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其中，所述沟槽埋入部由形成在所述第2沟槽的内表面的绝缘膜和埋入所述绝缘膜的内侧的多晶硅层构成。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜由SiO2、AlON、Al2O3、SiO2/AlON、SiO2/AlON/SiO2、SiO2/SiN及SiO2/SiN/SiO2的任一个构成。

10.如权利要求8或9所述的半导体装置，其中，所述绝缘膜具有包含氮（N）的SiO2膜。