[发明专利]电光装置、电子设备和驱动电路

权利要求书

1.一种电光装置，其特征在于，具备：

像素电路；以及

周边电路，其对所述像素电路进行驱动控制，

所述周边电路包括由晶体管构成的多级电路，

将所述周边电路的初级电路和最终极电路中的至少一方的电路所包含的晶体管设为第1晶体管，将所述周边电路的除了所述初级电路和所述最终极电路以外的电路所包含的晶体管设为第2晶体管，

在所述第1晶体管中，在栅极与栅极布线之间、源极与源极布线之间、和漏极与漏极布线之间中的至少一个部位，设有用于进行电连接的第1接触部，

在所述第2晶体管中，在栅极与栅极布线之间、源极与源极布线之间、和漏极与漏极布线之间中的至少一个部位，设有用于进行电连接的第2接触部，

所述第1接触部的俯视大小比所述第2接触部的俯视大小小，

与所述第2接触部相比，所述第1接触部是高电阻。

2.一种电光装置，其特征在于，具备：

像素电路；以及

周边电路，其对所述像素电路进行驱动控制，

所述周边电路包括由晶体管构成的多级电路，

将所述周边电路的初级电路和最终极电路中的至少一方的电路所包含的晶体管设为第1晶体管，将所述周边电路的除了所述初级电路和所述最终极电路以外的电路所包含的晶体管设为第2晶体管，

在所述第1晶体管中，在栅极与栅极布线之间、源极与源极布线之间、和漏极与漏极布线之间中的至少一个部位，设有用于进行电连接的第1接触部，

在所述第2晶体管中，在栅极与栅极布线之间、源极与源极布线之间、和漏极与漏极布线之间中的至少一个部位，设有用于进行电连接的第2接触部，

所述第1接触部的数量比所述第2接触部的数量少，

与所述第2接触部相比，所述第1接触部是高电阻。

3.一种电光装置，其特征在于，具备：

像素电路；以及

周边电路，其对所述像素电路进行驱动控制，

所述周边电路包括由晶体管构成的多级电路，

将所述周边电路的初级电路和最终极电路中的至少一方的电路所包含的晶体管设为第1晶体管，将所述周边电路的除了所述初级电路和所述最终极电路以外的电路所包含的晶体管设为第2晶体管，

所述第1晶体管的半导体层具有第1沟道区域和与所述第1沟道区域相接的第1LDD区域即第1轻掺杂漏极区域，

所述第2晶体管的半导体层具有第2沟道区域和与所述第2沟道区域相接的第2LDD区域即第2轻掺杂漏极区域，

所述第1LDD区域的LDD长度比所述第2LDD区域的LDD长度大，由此与所述第2晶体管的半导体层相比，所述第1晶体管的半导体层是高电阻。

4.一种电光装置，其特征在于，具备：

像素电路；以及

周边电路，其对所述像素电路进行驱动控制，

所述周边电路包括由晶体管构成的多级电路，

将所述周边电路的初级电路和最终极电路中的至少一方的电路所包含的晶体管设为第1晶体管，将所述周边电路的除了所述初级电路和所述最终极电路以外的电路所包含的晶体管设为第2晶体管，

所述第1晶体管的半导体层具有第1沟道区域和与所述第1沟道区域相接的第1LDD区域即第1轻掺杂漏极区域，

所述第2晶体管的半导体层具有第2沟道区域和与所述第2沟道区域相接的第2LDD区域即第2轻掺杂漏极区域，

所述第1LDD区域的杂质离子的剂量比所述第2LDD区域的杂质离子的剂量小，由此与所述第2晶体管的半导体层相比，所述第1晶体管的半导体层是高电阻。