[发明专利]被覆切削工具

权利要求书

1.一种被覆切削工具，其包括基材、和在基材的表面形成的被覆层；被覆层的至少1层为粗粒层，该粗粒层在与被覆层和基材的界面平行的方向测定时，其平均粒径Lx超过200nm，其组成可表示为(Al_aTi_bM_c)X，其中，M表示选自Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Y、B以及Si之中的至少1种元素，X表示选自C、N以及O之中的至少1种元素，a表示Al元素相对于Al元素和Ti元素和M元素的合计的原子比，b表示Ti元素相对于Al元素和Ti元素和M元素的合计的原子比，c表示M元素相对于Al元素和Ti元素和M元素的合计的原子比，a、b、c满足0.30≤a≤0.65、0.35≤b≤0.70、0≤c≤0.20、a+b+c＝1；粗粒层的平均层厚为0.2～10μm。

2.根据权利要求1所述的被覆切削工具，其中，a、b、c满足0.30≤a≤0.50、0.50≤b≤0.70、0≤c≤0.20、a+b+c＝1。

3.根据权利要求1或2所述的被覆切削工具，其中，粗粒层的X表示N。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的被覆切削工具，其中，在与被覆层和基材的界面平行的方向测定时，其粗粒层的平均粒径Lx超过400nm且在1000nm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的被覆切削工具，其中，在与被覆层和基材的界面垂直的方向测定时的粗粒层的平均粒径Ly相对于在与被覆层和基材的界面平行的方向测定时的粗粒层的平均粒径Lx之粒径比Ly/Lx为0.7以上且低于1.5。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的被覆切削工具，其中，粗粒层为立方晶。

7.根据权利要求6所述的被覆切削工具，其中，粗粒层的(200)面的X射线衍射峰的半峰宽为0.6度以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的被覆切削工具，其中，被覆层包括在基材的表面形成的下层、和在下层的表面形成的粗粒层；下层为单层或者多层，该单层或者多层由选自下述金属和化合物之中的至少1种构成，

金属：由选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Y、Al以及Si之中的金属元素的至少1种构成；

化合物：由这些金属元素的至少1种、和选自碳、氮、氧以及硼之中的非金属元素的至少1种构成。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的被覆切削工具，其中，粗粒层为最上层。

10.一种被覆切削工具，其包括基材、和在基材的表面形成的被覆层；被覆层的至少1层为粗粒层，该粗粒层在与被覆层和基材的界面平行的方向测定时，其平均粒径Lx超过200nm，其组成可表示为(Al_dCr_eL_f)Z，其中，L表示选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Y、B以及Si之中的至少1种元素，Z表示选自C、N以及O之中的至少1种元素，d表示Al元素相对于Al元素和Cr元素和L元素的合计的原子比，e表示Cr元素相对于Al元素和Cr元素和L元素的合计的原子比，f表示L元素相对于Al元素和Cr元素和L元素的合计的原子比，d、e、f满足0.25≤d≤0.70、0.30≤e≤0.75、0≤f≤0.20、d+e+f＝1；粗粒层的平均层厚为0.2～10μm。

11.根据权利要求10所述的被覆切削工具，其中，d、e、f满足0.40≤d≤0.70、0.30≤e≤0.50、0≤f≤0.20、d≥e、d+e+f＝1。

12.根据权利要求10或11所述的被覆切削工具，其中，粗粒层的Z表示N。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的被覆切削工具，其中，在与被覆层和基材的界面平行的方向测定时，其粗粒层的平均粒径Lx超过400nm且在1000nm以下。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的被覆切削工具，其中，在与被覆层和基材的界面垂直的方向测定时的粗粒层的平均粒径Ly相对于在与被覆层和基材的界面平行的方向测定时的粗粒层的平均粒径Lx之粒径比Ly/Lx为0.7以上且低于1.5。

15.根据权利要求10～14中任一项所述的被覆切削工具，其中，粗粒层为立方晶。