[发明专利]石墨烯异质结构场效应晶体管有效
| 申请号： | 201480011246.7 | 申请日： | 2014-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105027294B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 文廷瑄 | 申请（专利权）人： | HRL实验室有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L21/336;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 顾丽波;李荣胜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨 烯异质 结构 场效应 晶体管 | ||
1.一种场效应晶体管，包括：
衬底；
石墨烯台面，其位于所述衬底上方；
所述石墨烯台面的第一石墨烯部分，其位于所述衬底上方；
所述石墨烯台面的第二石墨烯部分，其位于所述衬底上方；
所述石墨烯台面的氟化石墨烯部分，其位于所述衬底上方、位于第一石墨烯部分与第二石墨烯部分之间；
第一欧姆接触件，其位于第一石墨烯部分上方；
第二欧姆接触件，位于第二石墨烯部分上方；
栅极，其与所述石墨烯台面的所述氟化石墨烯部分重叠对齐；以及
栅电介质，其在所述石墨烯台面的上表面上方、所述栅极与所述氟化石墨烯部分之间沉积，并且在所述栅极与第一欧姆接触件和第二欧姆接触件之间沉积。
2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中第一欧姆接触件和第二欧姆接触件不在氟化石墨烯部分上。
3.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中：
第一石墨烯部分和第二石墨烯部分为n型；并且
第一欧姆接触件和第二欧姆接触件为n型。
4.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中：
第一石墨烯部分和第二石墨烯部分为p型；并且
第一欧姆接触件和第二欧姆接触件为p型。
5.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中第一石墨烯部分、所述氟化石墨烯部分、以及第二石墨烯部分在所述衬底上依次横向布置。
6.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中所述衬底包括Si、SiO2、SiC、玻璃。
7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中所述玻璃是耐热玻璃。
8.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中所述栅电介质层包括氮化硅SiN、二氧化硅SiO2、氮化硼BN、氧化铝Al2O3或氧化铪HfO2。
9.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中所述第一石墨烯部分、所述氟化石墨烯部分和所述第二石墨烯部分布置为使得所述晶体管具有等于或大于105的导通-关断电阻比率。
10.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中所述栅极与所述氟化石墨烯部分重叠。
11.根据权利要求1或2所述的场效应晶体管，其中：
所述第一石墨烯部分、所述氟化石墨烯部分和所述第二石墨烯部分形成正常关断的沟道。
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