[发明专利]用于半导体晶片的电化学沉积工艺

权利要求书

1.一种用于电镀晶片的方法，所述方法包括：

将所述晶片放置成与具有加速剂、调平剂和抑制剂的电解质浴接触；

从一个或更多个阳极通过所述电解质和通过所述晶片上的导电层传递电流；

监测所述一个或更多个阳极的电压；

从所述电压的变化检测所述浴的失效。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括根据至少100毫伏的电压下降来检测所述浴的失效。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述晶片具有TSV特征结构。

4.一种用于电镀晶片的方法，所述方法包括：

将所述晶片放置成与具有加速剂和抑制剂的电解质浴接触；

从一个或更多个阳极通过所述电解质和通过所述晶片上的导电层传递电流；和

脉冲输送所述电流以控制所述浴中MPS的形成。

5.如权利要求4所述的方法，进一步包括监测所述一个或更多个阳极的电压，以基于所述电压的下降或振荡来检测所述浴的失效。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述晶片具有TSV特征结构。

7.一种用于电镀晶片的方法，所述方法包括：

将所述晶片放置成与具有加速剂和抑制剂的电解质浴接触；

从一个或更多个阳极通过所述电解质和通过所述晶片上的导电层传递电流；和

递增输送所述电流以控制所述浴中MPS的形成。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括监测所述一个或更多个阳极的电压,以基于所述电压的下降或振荡来检测所述浴的失效。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述晶片具有TSV特征结构。