[发明专利]柔性封装架构有效
申请号: | 201480010686.0 | 申请日: | 2014-09-26 |
公开(公告)号: | CN105659375B | 公开(公告)日: | 2021-08-24 |
发明(设计)人: | B·E·谢;J·C·P·孔;S·佩雷尔曼;M·斯金纳;Y·H·周;K·T·马;R·E·阿布德拉扎;K·C·黄 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/13;H01L23/373;H01L23/532 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 封装 架构 | ||
1.一种用于半导体封装的方法,包括:
将多个硅管芯内嵌于柔性基板中;
在所述内嵌管芯上方形成柔性插入层;
在所述基板的下表面与所述柔性插入层相对地形成薄膜热分配层;
与所述管芯和所述插入层一起定形所述基板;
固化经定形的所述基板;以及
将第二多个硅管芯内嵌于第二柔性基板中,所述第二柔性基板和所述柔性基板与所述柔性插入层在两个表面上相对地电接触。
2.一种封装,包括:
多个硅管芯,所述多个硅管芯内嵌于柔性基板中;
柔性插入层,所述柔性插入层在所述内嵌管芯上方;
薄膜热分配层,所述薄膜热分配层在所述基板上并与所述柔性插入层相反,
所述柔性基板与所述管芯和所述插入层一起被定形成弯曲的形状,并被固化以使所述柔性基板保持其形状;以及
第二多个硅管芯,所述第二多个硅管芯内嵌于第二柔性基板中,所述第二柔性基板和所述柔性基板与所述柔性插入层在两个表面上相对地电接触。
3.如权利要求2所述的封装,其特征在于,所述柔性插入层包括弹性体以承载金属层。
4.如权利要求2或3所述的封装,其特征在于,所述柔性插入层包括多个交替的金属层和电介质层。
5.如权利要求2或3所述的封装,其特征在于,所述薄膜热分配层包括基于铜的复合材料。
6.如权利要求2或3所述的封装,还包括在第二柔性基板上方的与所述柔性插入层相对的薄膜热分配层。
7.一种电子计算系统,包括:
供电电源;
显示器;以及
半导体计算设备封装,所述半导体计算设备封装具有内嵌于柔性基板中的多个硅管芯、在所述内嵌管芯上方的柔性插入层、以及在所述基板的下表面与所述柔性插入层相对的薄膜热分配层,所述柔性基板与所述管芯和所述插入层一起被定形成弯曲形状并被固化以使所述柔性基板保持其形状,并且所述半导体计算设备封装进一步包括第二多个硅管芯,所述第二多个硅管芯内嵌于第二柔性基板中,所述第二柔性基板和所述柔性基板与所述柔性插入层在两个表面上相对地电接触。
8.一种用于半导体封装的方法,包括:
将第一多个管芯附连至基板;
在所述基板上形成底层模制区域用作集成散热器;
包覆模制附连的管芯以将所述第一多个管芯内嵌于第一柔性基板中;
在所述第一柔性基板上形成金属焊盘和路径;
将所述第一多个管芯中的至少两个管芯连接至所形成的金属焊盘和路径以用于所述至少两个管芯之间的互连;以及
在所述所形成的金属焊盘和路径上形成第二柔性基板以将第二多个管芯内嵌于所述第二柔性基板中,
其中所述柔性基板与所述管芯一起被定形成弯曲的形状,并被固化以使所述柔性基板保持其形状。
9.一种封装,包括:
基板;
第一多个管芯,所述第一多个管芯在所述基板上;
在所述基板上形成底层模制区域用作集成散热器;
第一模制复合物层,所述第一模制复合物层在所述第一多个管芯和所述基板上方,其中所述第一模制复合物层是第一柔性基板;
引线层,所述引线层在所述第一模制复合物层上方,其中所述第一多个管芯中的至少两个管芯连接至所述引线层以用于所述至少两个管芯之间的互连;
第二多个管芯,所述第二多个管芯在所述引线层上,并被电气地耦合至所述引线层;以及
第二模制复合物层,所述第二模制复合物层在所述第二多个管芯上方,其中所述第二模制复合物层是第二柔性基板,
其中所述柔性基板与所述管芯一起被定形成弯曲的形状,并被固化以使所述柔性基板保持其形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480010686.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造