[发明专利]径向相关热学阻热器层

权利要求书

1.一种数据存储设备，即多层结构的介质，包括：

厚度梯度散热层，沉积在散热层上，所述散热层沉积在基底上；

厚度梯度非磁性热敏电阻层，沉积在所述厚度梯度散热层上；以及

磁层，沉积在所述厚度梯度非磁性热敏电阻层上。

2.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述热敏电阻层和厚度梯度散热层的性质为径向位置的函数，由此使介质的热学时间常数分布与线速度分布相匹配。

3.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，在介质表面的径向上的故意的变化补偿了使用热辅助磁记录的记录时间变化并且被配置为包括至少两个相反的梯度层的梯度结构，所述梯度结构被配置为包括厚度范围，根据热学情况和模拟，所述厚度范围被配置为线性的、抛物线的或多项式的。

4.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述厚度梯度散热层包括故意的变化，所述故意的变化包括等于值A1的半径外径处的厚度和等于值A2的盘半径内径处的厚度，所述值A2大于A1且小于或等于两倍的A1；所述厚度梯度散热层包括厚度范围：A1为5到200nm。

5.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述非磁性热敏电阻层包括故意的变化，所述故意的变化包括等于值B1的盘半径内径处的厚度和等于值B2的盘半径外径处的厚度，所述值B2大于B1且小于或等于两倍的B1；所述非磁性热敏电阻层包括厚度范围：B1为1到50nm。

6.如权利要求1所述的数据存储设备，其特征在于，所述非磁性热敏电阻层包括光滑水平的顶部表面，所述光滑水平的顶部表面与所述基底平行并且具有没有波动表面的不粗糙精整度。

7.如权利要求3-5中任一项所述的数据存储设备，其特征在于，所述故意的变化包括使用用于材料沉积的专用溅射源。

8.如权利要求3-5中任一项所述的数据存储设备，其特征在于，在介质表面的径向上的所述故意的变化被用于补偿渐变的热耗散。

9.如权利要求3-5中任一项所述的数据存储设备，其特征在于，在介质表面的径向上的所述故意的变化包括用于补偿渐变的热耗散的至少一个预定的材料。

10.如权利要求1所述的数据存储设备，进一步包括：所述多层结构包括对每层使用预定的材料以创建层性质，所述层性质是径向位置的函数，其中，介质的热学时间常数分布与线速度分布相匹配。

11.一种数据存储装置，包括：

配置为补偿使用热辅助磁记录的记录切线速度的设备，其中，所述设备包括多层结构，所述多层结构包括在所述设备的半径上的至少两个相反的梯度层，

其中所述至少两个相反的梯度层包括

沉积在散热层上的厚度梯度散热层，以及

沉积在所述厚度梯度散热层上的非磁性热敏电阻层。

12.如权利要求11所述的装置，所述非磁性热敏电阻层被配置为包括光滑水平的顶部表面、等于值B1的盘半径内径处的厚度和等于值B2的盘半径外径处的厚度，所述值B2大于B1且小于或等于两倍的B1；以及所述非磁性热敏电阻层包括厚度范围：B1为1到50nm。

13.如权利要求11所述的装置，所述厚度梯度散热层被配置为包括等于值A1的盘半径外径处的厚度和等于值A2的盘半径内径处的厚度，所述值A2大于A1且小于或等于两倍的A1；以及所述厚度梯度散热层包括厚度范围：A1为5到200nm。

14.如权利要求11所述的装置，所述厚度梯度散热层沉积在基底上，所述基底具有沉积在其上的散热层；并且被配置为包括至少两个相反的梯度层的梯度结构，所述至少两个相反的梯度层被配置为包括厚度范围，根据热情况和模拟，所述厚度范围被配置为线性的、抛物线的或多项式的。

15.如权利要求11所述的装置，进一步包括：所述多层结构被配置为包括介质表面的径向上故意的变化，所述故意的变化包括使用补偿渐变的热耗散以针对线速度分布匹配介质热学时间常数。

16.一种数据存储结构，该数据存储结构为多层结构，包括：

基底；

散热层；以及

厚度梯度散热层，沉积在所述散热层上。