[发明专利]微细抗蚀图案形成用组合物以及使用了其的图案形成方法

权利要求书

1.一种正型抗蚀图案的形成方法，其特征在于包含如下的工序：

在半导体基板上涂布化学放大型光致抗蚀组合物而形成光致抗蚀层的工序，

对由所述光致抗蚀层覆盖了的所述半导体基板进行曝光的工序，

在所述曝光后由显影液进行显影而形成光致抗蚀图案的工序，

在所述光致抗蚀图案的表面上，涂布包含在重复单元中包含氨基的聚合物、溶剂以及酸的微细图案形成用组合物的工序，

将涂布完的光致抗蚀图案加热的工序，以及

将过量的微细图案形成用组合物洗涤而去除的工序，

其中，所述聚合物从由聚乙烯胺、聚烯丙胺、聚二烯丙基胺、聚乙烯亚胺以及聚(烯丙基胺-共-二烯丙基胺)组成的组中选出，

其中，所述酸从由磺酸、羧酸、硫酸、硝酸以及它们的混合物组成的组中选出，并且

以所述聚合物的总重量为基准，所述酸的量为0.5～50重量％。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其中，所述酸是从由硫酸、五氟丙酸、对甲苯磺酸、三氟甲磺酸组成的组中选出的。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其中，所述酸是从由乙酸、甲氧基乙酸、乙醇酸、戊二酸、苹果酸组成的组中选出的。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的形成方法，其中，所述微细图案形成用组合物的pH为2以上11以下。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的形成方法，其中，所述光致抗蚀组合物进一步包含光酸产生剂。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的形成方法，其中，所述溶剂包含水。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的形成方法，其中，所述微细图案形成用组合物进一步包含表面活性剂。