[发明专利]改进的VJFET器件

权利要求书

1.一种屏蔽超结结栅场效应晶体管JFET，包括：

超结电荷平衡区域(189)，所述超结电荷平衡区域(189)包括n-型导电的第一注入区(108)和p-型导电的第二注入区(109)；

埋置屏蔽区域(112)，所述埋置屏蔽区域(112)设置在第一方向上所述超结电荷平衡区域(189)的上方，所述埋置屏蔽区域(112)包括n-型导电的第一多个区(114)和p-型导电的第二多个区(112a)；

链路区域(113)，所述链路区域(113)设置在所述第一方向上所述超结电荷平衡区域(189)和所述埋置屏蔽区域(112)的上方，所述链路区域(113)包括n-型导电的第三多个区(113b)和p-型导电的第四多个区(113a)；

JFET区域(178)，所述JFET区域(178)设置在所述第一方向上所述超结电荷平衡区域(189)和所述埋置屏蔽区域(112)的上方，所述JFET区域(178)包括n-型导电的第五多个JFET沟道区(117)和p-型导电的第六多个p-栅极区(118)以控制通过JFET n-型沟道区的电流流动；

n-型导电的多个源极触点区(120)，所述源极触点区(120)与所述p-栅极区相邻，并且在所述JFET沟道区(117)上方形成多个栅极-源极PN结，其中所述源极触点区(120)与所述JFET沟道区(117)相比具有较高的掺杂浓度，并且每个n-型源极触点区(120)形成在相邻的JFET沟道区(117)的顶部上，其中所述源极触点区(120)与所述JFET沟道区(117)之间的界面与原始晶片表面基本上平行，以及其中所述JFET沟道区(117)与相邻的p-栅极区(118)之间的PN结界面是基本上垂直的，从而形成在所述JFET沟道区(117)中具有基本上垂直的电子电流流动的基本上垂直的JFET沟道，以及与所述原始晶片表面垂直并且从所述源极触点区(120)通过整个JFET沟道区延伸到达所述链路区域(113)的笔直连续电子流动路径；以及

源电极(126)，所述源电极(126)设置在所述第一方向上所述超结电荷平衡区域(189)、所述埋置屏蔽区域(112)和所述JFET区域(178)的上方；以及

电链路(119)，所述电链路(119)包括：

所述链路区域(113)的p-型导电的第一区(113a)，所述第一区电连接到所述埋置屏蔽区域(112)的p-型导电的第一区，并且在所述第一方向上与所述埋置屏蔽区域(112)的p-型导电的第一区至少部分地对准，以及

所述JFET区域(178)的p-型导电的第二区，所述第二区电连接到所述链路区域(113)的p-型导电的第一区(113a)和所述源电极(126)，

其中所述JFET区域(178)的p-型导电的第二区在所述第一方向上与所述链路区域(113)的p-型导电的第一区(113a)至少部分地对准，以及

其中所述电链路(119)将所述源电极(126)电连接到所述埋置屏蔽区域(112)，从而将所述埋置屏蔽区域(112)保持在源电极电位。