[发明专利]用于制造光电器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造光电器件(10，20，30)的方法，具有如下步骤：

-提供具有前侧(101)和后侧(102)的光电子半导体芯片(100)；

-将牺牲层(120)施加在所述后侧(102)上；

-构造成形体(200，500)，其中所述光电子半导体芯片(100)至少部分地嵌入到所述成形体(200，500)中；

-移除所述牺牲层(120)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在移除所述牺牲层(120)之前执行如下步骤：

-部分地移除所述成形体(200，500)，以使得所述牺牲层(120)能够被触及。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述光电子半导体芯片(100)嵌入到所述成形体(200，500)中，使得所述光电子半导体芯片(100)的所述前侧(101)与所述成形体(200，500)的下侧(201，501)齐平。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在构造所述成形体(200，500)之前，执行如下步骤：

-将所述光电子半导体芯片(100)布置在载体(300，400)上，其中，所述光电子半导体芯片(100)的所述前侧(101)朝向所述载体(300，400)的表面(301，401)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述载体(400)的所述表面(401)的第一侧向部段(410)相对于所述载体(400)的所述表面(401)的第二侧向部段(420)突起。

6.根据权利要求4和5中任一项所述的方法，其中，执行如下了另外的步骤：

-将所述成形体(200，500)从所述载体(300，400)剥离。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述光电子半导体芯片(100)的所述前侧(101)设置用于使电磁辐射穿过。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供具有布置在所述后侧(102)上的金属化部(110)的所述光电子半导体芯片(100)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，在移除所述牺牲层(120)之后执行如下另外的步骤：

-将金属(115)无电流地沉积在所述光电子半导体芯片(100)的所述后侧(102)处。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，执行如下另外的步骤：

-对沉积在所述光电子半导体芯片(100)的所述后侧(102)处的所述金属(115)和所述成形体(200，500)进行平面磨削。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在施加所述牺牲层(120)和构造所述成形体(200，500)之间从晶片阵列中分离出所述光电子半导体芯片(100)。

12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，导电的传导元件(600)与布置在所述传导元件(600)上的传导元件牺牲层连同所述光电子半导体芯片(100)一起嵌入到所述成形体(500)中，其中，所述传导元件牺牲层连同所述牺牲层(120)一起移除。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，多个所述光电子半导体芯片(100)共同地嵌入到所述成形体(200，500)中，

其中分解所述成形体(200，500)，以便获得多个所述光电器件(10，20，30)。