[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法有效
| 申请号: | 201480009974.4 | 申请日: | 2014-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN105009279B | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
| 发明(设计)人: | 晴山耕佑;茅野大祐;西谷祐司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48;H01L23/66 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 | 代理人: | 曹正建,陈桂香 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,其包括:
配线基板;
所述半导体器件的表面上的多个焊料球,其中,所述半导体器件的所述表面是所述配线基板的第一表面;
半导体芯片,所述半导体芯片与所述配线基板电连接,其中,所述半导体芯片安装在所述半导体器件的与所述第一表面相对的第二表面上;以及
与所述多个焊料球中的第一焊料球相关的保持体,其用于使所述第一焊料球与所述多个焊料球中的至少第二焊料球分离,
其中,所述保持体包括:
导电部;以及
绝缘部,其被构造成覆盖所述导电部。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述保持体具有环形形状。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述配线基板是包括多个层的层叠结构。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,所述多个层包括至少一个绝缘层及至少一个配线层。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述至少一个绝缘层与所述至少一个配线层交替。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述配线基板是第一配线基板,并且所述半导体器件还包括与所述第一配线基板电连接的第二配线基板。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述第二配线基板通过至少一个金属柱电连接到所述第一配线基板。
8.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述第二配线基板通过与所述第一配线基板的所述第一表面上的所述多个焊料球不同的至少一个焊料球电连接到所述第一配线基板。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,与所述第一配线基板的所述第一表面上的所述多个焊料球不同的所述至少一个焊料球位于所述半导体器件的与所述第一表面相对的所述第二表面上。
10.根据权利要求6所述的半导体器件,其中,所述第二配线基板通过与所述第一配线基板的所述第一表面上的所述多个焊料球不同的至少一个焊料球以及通过至少一个金属柱电连接到所述第一配线基板。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件,其还包括与所述保持体相关的接地端子,其中,所述保持体的所述导电部与所述接地端子电连接。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件,其中,所述保持体的所述导电部包括导电树脂。
13.根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件,其中,所述保持体的所述绝缘部包括绝缘树脂。
14.根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件,其中,所述保持体是多个保持体中的第一保持体,所述多个保持体中的每者与所述多个焊料球中的各个焊料球相关。
15.根据权利要求1-10中任一项所述的半导体器件,其中,所述配线基板是无芯型配线基板。
16.根据权利要求2所述的半导体器件,其中,所述保持体的所述导电部的内直径与所述焊料球的截面直径之间的关系满足d/D=36.5%至51%的条件,其中,D是所述内直径,并且d是所述截面直径。
17.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
在配线基板的第一表面上形成多个保持体,每个所述保持体包括导电部和覆盖所述导电部的绝缘部,每个所述保持体形成开口部;
在由每个所述保持体形成的所述开口部中形成焊料球;以及
在所述半导体器件的与所述第一表面相对的第二表面上安装半导体芯片,所述半导体芯片与所述配线基板电连接。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,在所述配线基板的所述第一表面上形成所述多个保持体的步骤包括:
通过使用导电树脂的注射成型来形成每个所述保持体的所述导电部;以及
在形成所述导电部之后,通过使用绝缘树脂的注射成型来形成每个所述保持体的所述绝缘部。
19.根据权利要求17所述的方法,其中,在所述配线基板的所述第一表面上形成所述多个保持体的步骤包括:
形成每个所述保持体的所述绝缘部的第一部分,所述绝缘部的所述第一部分包括凹槽部;
在所述凹槽部中形成每个所述保持体的所述导电部;以及
形成每个所述保持体的所述绝缘部的第二部分,以覆盖所述凹槽部中的所述导电部。
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