[发明专利]碳化硅单晶以及碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201480009593.6 | 申请日： | 2014-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105074059B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 近藤宏行;恩田正一;木藤泰男;渡边弘纪 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 刘凤岭,陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 以及 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅单晶，其是包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶；其中，
在所述螺旋位错中，将柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)，所述L位错密度为300个/cm2以下。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶，其中，所述L位错密度为100个/cm2以下。
3.一种碳化硅单晶的制造方法，其包括以下工序：
准备由权利要求1或2所述的碳化硅单晶构成、且表面与{0001}面平行的基板；
将所述基板作为籽晶，使碳化硅单晶在所述表面生长。
4.一种碳化硅单晶的制造方法，其包括以下工序：
准备由权利要求1或2所述的碳化硅单晶构成、且表面相对于{0001}面在＜11-20＞方向具有10度以内的偏离角的基板；
将所述基板作为籽晶，使碳化硅单晶在所述表面生长。
5.一种碳化硅单晶的制造方法，其包括以下工序：
第1工序，准备由权利要求1或2所述的碳化硅单晶构成、且表面相对于{0001}面在＜11-20＞方向具有10度以内的偏离角的基板，将所述基板作为籽晶，使碳化硅单晶在所述表面生长；以及
第2工序，从所述第1工序中生长而成的碳化硅单晶上切出表面相对于{0001}面在＜11-20＞方向具有10度以内的偏离角的基板，将所述基板作为籽晶，使碳化硅单晶在所述表面生长；
而且将所述第1工序和第2工序反复进行多次。
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