[发明专利]改善铝薄膜粘附的方法在审
| 申请号: | 201480009479.3 | 申请日: | 2014-02-18 |
| 公开(公告)号: | CN105308220A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
| 发明(设计)人: | L.E.布朗宁;W.C.卡尔森;J.F.舒尔斯;G.R.巴列霍 | 申请(专利权)人: | 铝镀公司 |
| 主分类号: | C25D11/04 | 分类号: | C25D11/04;C25D11/18 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周李军;吕彩霞 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 改善 薄膜 粘附 方法 | ||
1.一种在铝衬底的表面上形成保护涂层的方法,该方法包括:
在该铝衬底的表面上形成促粘附层,该促粘附层具有多个空腔,这些空腔具有基本上垂直于该铝衬底的该表面取向的侧壁,其中该促粘附层是与随后的阳极氧化处理化学上相容的;并且
在该促粘附层上沉积铝层,该铝层具有布置在该促粘附层的相应空腔内的多个锚定部分,其中这些锚定部分与该促粘附层的侧壁啮合,抵抗施加到该铝层上的剪切力,从而将该铝层固定到该促粘附层上。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包括:
使用阳极氧化处理将该铝层的至少一部分转化为氧化铝层。
3.如权利要求2所述的方法,其中基本上该整个铝层被转化为该氧化铝层。
4.如权利要求3所述的方法,进一步包括:
在该阳极氧化过程中,超越该促粘附层与该铝衬底之间的界限,将该铝衬底的一部分转化为第二氧化铝层。
5.如权利要求1所述的方法,其中该铝衬底构成用于电子器件的外壳的至少一部分。
6.如权利要求1所述的方法,其中该促粘附层基本上不含铜或镍。
7.如权利要求1所述的方法,其中该氧化铝粘附层具有约3微米或更小的厚度。
8.如权利要求1所述的方法,其中形成该促粘附层包括:
在该铝衬底的表面上形成氧化铝粘附层,该氧化铝粘附层具有多个由多个对应的孔壁限定的孔,其中该多个孔具有的平均孔径足够大,以允许在该随后的铝层沉积工艺过程中在其中形成该铝层的锚定部分。
9.如权利要求8所述的方法,其中该氧化铝粘附层具有约3微米或更小的厚度。
10.如权利要求1所述的方法,其中形成该促粘附层包括:
在该铝衬底上形成锌酸盐层,该锌酸盐层具有带有该多个空腔的晶体结构。
11.如权利要求10所述的方法,其中该锌酸盐层具有小于约0.5微米的厚度。
12.如权利要求1-11中之一项所述的方法,进一步包括:
在形成该促粘附层之前,使该铝衬底的表面粗化。
13.如权利要求12所述的方法,其中该铝衬底由铝合金构成。
14.如权利要求1-11中之一项所述的方法,其中该铝衬底由铝合金构成。
15.一种在衬底上形成铝层的方法,该方法包括:
在该衬底上形成氧化铝粘附层,该氧化铝粘附层具有多个由多个相应的孔壁限定的孔;
在该形成过程中,通过同时允许这些孔壁生长和溶解这些孔壁控制该氧化铝粘附层的平均孔径,使得该平均孔径足够大,以允许在随后的铝层沉积工艺过程中在其中形成铝材料;和
在该氧化铝粘附层上沉积该铝层,其中在该沉积过程中,在至少一部分相应的孔内形成该铝层的锚定部分,其中这些锚定部分与这些孔壁啮合,抵抗施加到该铝层上的剪切力并且将该铝层固定到该氧化铝层上。
16.如权利要求15所述的方法,其中该衬底由一种可阳极氧化的材料构成,该方法进一步包括:
将基本上该整个铝层转化为一个氧化铝层并且将该衬底的一部分转化为氧化物层。
17.如权利要求15所述的方法,其中该衬底由铝合金构成。
18.如权利要求16所述的方法,其中该衬底由铝合金构成。
19.如权利要求15所述的方法,其中该铝层由基本上纯的铝构成。
20.如权利要求15所述的方法,其中该铝衬底构成用于电子器件的外壳的至少一部分。
21.如权利要求16所述的方法,其中该铝衬底构成用于电子器件的外壳的至少一部分。
22.如权利要求15所述的方法,其中形成该氧化铝粘附层包括:
使用包括以下项中至少一种的阳极氧化溶液使该衬底阳极氧化:磷酸、草酸、铬酸、和硫酸。
23.如权利要求15所述的方法,其中沉积该铝层包括:将该铝层电镀到该氧化铝粘附层上。
24.如权利要求16所述的方法,其中沉积该铝层包括:将该铝层电镀到该氧化铝粘附层上。
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