[发明专利]具有高密度传导部的测试插座有效
申请号: | 201480009308.0 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN105008940B | 公开(公告)日: | 2018-01-09 |
发明(设计)人: | 李载学 | 申请(专利权)人: | 株式会社ISC |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/067 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 李艳,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道城南*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 高密度 传导 测试 插座 | ||
技术领域
本发明有关于具有高密度传导部的测试插座,且更特定言之,是有关于具有能够与待测试的装置的端子进行可靠电接触的耐久性高密度传导部的测试插座。
背景技术
一般而言,当测试装置的电特性时,将所述装置稳定地电连接至测试设备。测试插座通常用于连接待测试的装置与测试设备。
此类测试插座的功能为将待测试的装置的端子连接至测试设备的衬垫以便允许电信号在其间的双向传输。为此目的,弹性导电薄片或弹簧式顶针在测试插座中用作接触部分。弹性导电薄片用以使弹性传导部与待测试的装置的端子接触,且其中安置有弹簧的弹簧式顶针用以连接待测试的装置与测试设备,同时缓冲进行连接时所可能发生的任何机械冲击。此类弹性导电薄片或弹簧式顶针用于大多数测试插座中。
图1说明相关技术的例示性测试插座20。测试插座20包括:导电硅酮部8,其形成于BGA(ball grid array)半导体装置2的球形引线(ball lead)4可置放到的位置处;以及绝缘硅酮部6,其形成于不与半导体装置2的端子4接触的区域中,用于支撑导电硅酮部8。导电硅酮部8将半导体装置2的引线端子4电连接至插座板12的接触衬垫10以用于测试半导体装置2,且导电环7安装在导电硅酮部8的顶表面上。
测试插座对于藉由朝向检查设备推动半导体装置而使检查设备与半导体装置接触可为有用的。此外,因为导电硅酮部是个别地推动,所以可容易地根据周边装置的平坦度执行测试程序。换句话说,导电硅酮部具有改良的电特性。此外,导电环在藉由半导体装置的引线端子推动导电硅酮部时防止导电硅酮部的展布,且因而接点可较少变形且因而稳定地使用很长的时段。
图2说明相关技术的另一例示性测试插座。导电硅酮部8将插座板12的接触衬垫10电连接至待测试的半导体装置2的引线端子4,且导体22藉由电镀、蚀刻或涂布方法而形成于导电硅酮部8的顶表面及/或底表面上。
然而,因为藉由电镀、蚀刻或涂布方法而形成于导电硅酮部8的顶表面及底表面上的导体22相对较硬(rigid),故导电硅酮部的弹性与不使用导体的情况相比可能会降低。因此,连接半导体装置的引线端子与插座板的接触衬垫的导电硅酮部所具有的弹性可能较小。此外,若频繁地进行接触动作,则藉由电镀、蚀刻或涂布方法形成的导体、半导体装置或测试板的接触衬垫可能会损坏,且污染物可能累积于其上。
为解决此类问题,已提议图3中所示的测试插座。所述测试插座包括:导电硅酮部8,其由硅酮与导电金属粉末的混合物形成且安置在可置放BGA半导体装置2的引线端子4的位置处;以及绝缘硅酮部6,其形成于不与半导体装置2的球形引线(ball lead)4接触的区域中,用于支撑导电硅酮部8。导电金属粉末密度大于导电硅酮部8的导电金属粉末密度的导电性增强膜30形成于导电硅酮部8的顶表面上。因此,图3中所示的测试插座具有改良的导电性。
然而,相关技术的测试插座可能具有以下问题。
尽管测试插座的导电性由于导电性增强膜而得到改良,但因为导电性增强膜自导电硅酮部突出,所以导电性增强膜可能容易因与半导体装置2的端子的频繁接触而变形或损坏。明确地说,导电性增强膜可能会因与端子的频繁接触而变形且断裂。
发明内容
技术问题
本发明提供一种包括具有改良的电接触特性的耐久性高密度传导部的测试插座。
技术解决方案
根据本发明的态样,提供一种测试插座,其具有高密度传导部且用以安置在待测试的装置与测试设备之间用于电连接所述装置的端子与所述测试设备的衬垫,所述测试插座包括:弹性导电薄片,其包括第一传导部及绝缘支撑部,所述第一传导部安置在对应于所述装置的所述端子的位置处且是藉由在所述第一传导部的厚度方向上在弹性材料中配置多个第一导电粒子而形成,所述绝缘支撑部支撑所述第一传导部且使所述第一传导部彼此绝缘;支撑薄片,其附接至所述弹性导电薄片的顶表面且包括处于对应于所述装置的所述端子的位置处的穿透孔;以及第二传导部,其安置于所述支撑薄片的所述穿透孔中且是藉由在所述第二传导部的厚度方向上在弹性材料中配置多个第二导电粒子而形成,其中所述第二导电粒子比所述第一导电粒子配置得更密集,且所述穿透孔具有大于其下部直径的上部直径。
所述穿透孔可具有向下减小的直径。
所述穿透孔可包括:直径减小部分,其具有向下减小的直径;以及恒定直径部分,其形成于所述直径减小部分下方且具有恒定直径。
所述直径减小部分的高度可小于所述恒定直径部分的高度。
所述第二导电粒子的平均粒径可小于所述第一导电粒子的平均粒径。
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