[发明专利]单元编程验证有效
申请号: | 201480009019.0 | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN104981876B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | D.J.楚;R.W.曾;D.里弗斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C13/02 | 分类号: | G11C13/02;G11C16/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 陈振;付曼 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单元 编程 验证 | ||
1.一种相变存储器,包括:
相变存储器单元阵列;以及
重置验证电路,用于:
将重置脉冲发送到所述单元阵列中的至少一个单元;响应跨所述至少一个单元应用第一验证电压,感应所述至少一个单元的阈值电压;响应跨所述至少一个单元应用第二验证电压,感应所述至少一个单元的重置单元阈值电压;以及确定所述至少一个单元的所述阈值电压是否低于所述第一或第二验证电压,如果所述至少一个单元通过第一验证电压但未通过第二验证电压,则确定所述至少一个单元受第一验证电压干扰。
2.如权利要求1所述的存储器,其中所述第二验证电压高于设置单元阈值电压,并且所述第一验证电压低于重置单元阈值电压。
3.如权利要求1所述的存储器,其中所述重置验证电路重复进行以下操作:发送所述重置脉冲;通过应用所述第一与第二验证电压,感应所述相变存储器单元的所述阈值电压;以及在重置单元阈值电压低于所述第一或第二验证电压时确定所述重置单元阈值电压是否低于所述第一或第二验证电压。
4.如权利要求3所述的存储器,其中所述重置验证电路重复所述发送、感应和确定预确定的次数。
5.如权利要求3所述的存储器,其中随着每次重复,增大所述重置脉冲的电压或电流、所述第一验证电压或所述第二验证电压。
6.如权利要求5所述的存储器,其中在所述重置单元阈值电压高于所述第一与第二验证电压前的重复是迭代,并且所述重置验证电路,在前一迭代后的随后迭代中,从原始第一与第二验证电压开始,通过所述随后的迭代中的每次重复来增大所述第一与第二验证电压。
7.一种为相变存储器验证单元编程的方法,包括:
将重置脉冲发送到相变存储器单元;
响应跨所述相变存储器单元应用第一验证电压,感应所述相变存储器单元的阈值电压;
响应跨所述相变存储器单元应用低于所述第一验证电压的第二验证电压,感应所述相变存储器单元的所述阈值电压;
确定所述阈值电压是否低于所述第一或第二验证电压;
如果所述相变存储器单元通过第一验证电压但未通过第二验证电压,则确定所述相变存储器单元受第一验证电压干扰。
8.如权利要求7所述的方法,其中确定所述相变存储器单元的所述阈值电压是否低于所述第一或第二验证电压包括确定在所述第一或第二验证电压的应用后所述相变存储器单元是否具有降低的电阻。
9.如权利要求7所述的方法,其中所述第一验证电压低于重置单元阈值电压。
10.如权利要求7所述的方法,还包括如果所述相变存储器单元的所述阈值电压低于所述第二验证电压,则确定所述相变存储器单元受所述第一验证电压干扰。
11.如权利要求7所述的方法,还包括在所述相变存储器单元的所述阈值电压高于所述第一与第二验证电压时,确定所述相变存储器单元被成功重置。
12.如权利要求7所述的方法,还包括选择所述第二验证电压,使得与使用所述第一验证电压干扰所述相变存储器单元的概率相比,干扰所述相变存储器单元的概率降低至少50%。
13.如权利要求7所述的方法,还包括在所述相变存储器单元的所述阈值电压低于所述第一或第二验证电压时,将所述相变存储器单元识别为受干扰。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司,未经英特尔公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201480009019.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。