[发明专利]清洁气体及清洁方法在审
| 申请号： | 201480008977.6 | 申请日： | 2014-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104995720A | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 大森启之;菊池亚纪应;梅崎智典 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洁 气体 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种清洁气体，其包含用于将堆积于基材的含有碳化硅的堆积物去除的七氟化碘，所述基材包含至少一部分具有石墨结构的碳。
2.根据权利要求1所述的清洁气体，其还包含选自由F2、ClF3、COF2、O2、O3、NO、NO2、N2O及N2O4组成的组中的至少1种气体。
3.根据权利要求1或2所述的清洁气体，其还包含选自由He、Ne、Ar、Xe、Kr及N2组成的组中的至少1种。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的清洁气体，其中，基材为用于制造碳化硅单晶的装置的内壁或其附属设备。
5.根据权利要求4所述的清洁气体，其中，用于制造碳化硅单晶的装置为碳化硅外延膜形成装置。
6.一种清洁方法，其使用权利要求1～5中任一项所述的清洁气体，边加热基材边将堆积于基材的含有碳化硅的堆积物去除。
7.根据权利要求6所述的清洁方法，其中，使清洁气体与温度为150～700℃的基材接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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