[发明专利]碳化硅半导体器件有效
| 申请号： | 201480008928.2 | 申请日： | 2014-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN104995739B | 公开（公告）日： | 2017-10-03 |
| 发明（设计）人： | 山田俊介;堀井拓;木岛正贵 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
1.一种碳化硅半导体器件，包括：
碳化硅衬底；
主电极，所述主电极直接设置在所述碳化硅衬底上；
第一阻挡层，所述第一阻挡层设置在所述主电极上，所述第一阻挡层由不包含铝的导电材料制成；以及
互连层，所述互连层设置在所述第一阻挡层上，所述互连层通过所述第一阻挡层与所述主电极隔开，所述互连层由包含铝的材料制成，
所述碳化硅半导体器件进一步包括：
栅电极，所述栅电极设置在所述碳化硅衬底上；
层间绝缘膜，所述层间绝缘膜设置在所述栅电极上，以提供所述栅电极和所述互连层之间的绝缘，所述层间绝缘膜具有接触孔，所述主电极与所述碳化硅衬底在所述接触孔中接触；以及
第二阻挡层，所述第二阻挡层直接设置在所述层间绝缘膜上，所述第二阻挡层将所述层间绝缘膜和所述主电极彼此隔开，所述第二阻挡层由与包含铝的材料不同的材料制成，
其中，所述第一阻挡层包括位于所述互连层和所述层间绝缘膜之间的部分，并且
其中，所述主电极包括夹在所述第一阻挡层和所述第二阻挡层之间的部分。
2.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述主电极中添加有铝。
3.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一阻挡层包括在所述主电极上延伸至所述主电极的端部的部分，以及从所述端部进一步延伸的部分。
4.根据权利要求1或3所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一阻挡层完全覆盖所述主电极和所述层间绝缘膜。
5.根据权利要求1所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第二阻挡层具有在所述主电极上延伸至所述主电极的端部的部分，以及从所述端部进一步延伸的部分。
6.根据权利要求1或5所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第二阻挡层完全覆盖所述层间绝缘膜。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一阻挡层具有多层结构。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的碳化硅半导体器件，其中，所述第一阻挡层包括金属层。
9.根据权利要求8所述的碳化硅半导体器件，其中，所述金属层是Ti层、TiW层、Au层以及Pt层中的一种。
10.根据权利要求1至3中的任一项的碳化硅半导体器件，其中，所述第一阻挡层包括TiN层。
11.根据权利要求10所述的碳化硅半导体器件，其中
所述第一阻挡层包括Ti层，所述Ti层设置在所述TiN层和所述主电极之间，所述Ti层与所述TiN层和所述主电极中的每一个接触。
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