[发明专利]半导体激光元件、集成型半导体激光元件、以及半导体激光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光元件，其特征在于，具备：

半导体层叠构造，其包含波导芯层，并具有分布反馈型激光器部和分布布拉格反射部，在所述分布反馈型激光器部中，所述波导芯层具有遍及光谐振器长度方向而连续的长度，并且沿着所述波导芯层而配置有衍射光栅层，在所述分布布拉格反射部中，所述波导芯层被离散地且周期性地配置，以形成衍射光栅；和

电极，其用于向所述分布反馈型激光器部注入电流，

所述分布反馈型激光器部使与所述衍射光栅层的周期相应的波长的激光振荡，在所述分布布拉格反射部中所述波导芯层所形成的衍射光栅被设定为具有包含所述激光的波长在内的阻带，

在所述波导芯层上形成有p型半导体层，在所述p型半导体层上形成有所述衍射光栅层。

2.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

在所述分布布拉格反射部中所述波导芯层所形成的所述衍射光栅的阻带宽度被设定为在该半导体激光元件的驱动电流的范围内包含所述激光的波长。

3.根据权利要求2所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述驱动电流的范围从0A至1A的范围中选择，在所述分布布拉格反射部中所述波导芯层所形成的所述衍射光栅的阻带宽度为1.4nm以上。

4.根据权利要求2所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述驱动电流的范围从0mA至500mA的范围中选择，在所述分布布拉格反射部中所述波导芯层所形成的所述衍射光栅的阻带宽度为0.7nm以上。

5.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

在设所述分布反馈型激光器部中的所述波导芯层的长度为L1、设所述衍射光栅层的耦合系数为κ1时，κ1×L1为1以上，L1为820μm以上。

6.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

在设所述分布布拉格反射部中的所述波导芯层的长度为L2、设所述波导芯层所形成的衍射光栅的耦合系数为κ2时，κ2×L2大于2.18，κ2为29cm^-1以上。

7.根据权利要求1所述的半导体激光元件，其特征在于，

所述分布反馈型激光器部的所述衍射光栅层具有移相部。

8.一种集成型半导体激光元件，其特征在于，集成有：

一个以上的权利要求1所述的半导体激光元件；

光合流器，其具有分别被输入来自所述一个以上的半导体激光元件的输出光的、与该半导体激光元件相同数量的输入端口，并能够使该输出光合流来输出；和

半导体光放大器，其对来自所述光合流器的输出光进行放大。

9.一种半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包括：

半导体层叠构造形成工序，形成半导体层叠构造，该半导体层叠构造包含波导芯层，并具有：包含沿着该波导芯层配置的衍射光栅层的成为分布反馈型激光器部的区域、和包含所述波导芯层的成为分布布拉格反射部的区域；

第1蚀刻工序，对所述半导体层叠构造当中成为所述分布反馈型激光器部的区域的所述衍射光栅层进行蚀刻，以成为给定的周期且离散的配置；和

第2蚀刻工序，对所述半导体层叠构造当中成为所述分布布拉格反射部的区域的所述波导芯层进行蚀刻，以形成衍射光栅并成为给定的周期且离散的配置。

10.根据权利要求9所述的半导体激光元件的制造方法，其特征在于，

所述第2蚀刻工序是在成为所述分布反馈型激光器部的区域的最表面形成掩模，以在该第2蚀刻工序中的蚀刻之中保护成为所述分布反馈型激光器部的区域的波导芯层而进行的。