[发明专利]基板的压差夹持的装置与方法

权利要求书

1.一种处理腔室，包含：

至少一气体分配组件；及

基座组件，所述基座组件设在所述至少一气体分配组件下方，所述基座组件包括顶表面、底表面和位于所述顶表面的用以支撑晶圆的边缘的至少一凹部，所述至少一凹部具有至少一通道，所述至少一通道形成所述凹部与所述底表面间的流体连通。

2.一种处理腔室，包含：

至少一气体分配组件，所述气体分配组件包括数个实质平行的气体通道，用以将气流导向晶圆的顶表面；

基座组件，所述基座组件设在所述至少一气体分配组件下方，所述基座组件包括面对所述至少一气体分配组件的顶表面、底表面和位于所述顶表面的至少一凹部，用以支撑晶圆的边缘，所述至少一凹部是按尺寸制作，使所述凹部支撑的晶圆具有顶表面，所述顶表面与所述基座组件的所述顶表面实质共平面，所述至少一凹部具有至少一通道，所述至少一通道从所述至少一凹部的底部延伸到所述基座组件的所述底表面；及

加热组件，所述加热组件设在所述基座组件下方，用以将热导向所述基座组件的所述底表面，

其中所述基座组件的所述至少一通道不直接垂直所述基座组件的所述顶表面延伸。

3.如权利要求1所述的处理腔室，进一步包含加热组件，所述加热组件设在所述基座组件下方。

4.如权利要求2或3所述的处理腔室，其中所述加热组件包含数个灯具，用以将辐射能导向所述基座组件的所述底表面。

5.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述至少一通道的每一者经倾斜，以防止自所述加热组件的辐射能直接冲击所述晶圆。

6.如权利要求4所述的处理腔室，其中所述至少一通道的每一者包含多个支脚，且至少一支脚实质平行所述晶圆延伸，以防止自所述加热组件的辐射能直接冲击所述晶圆。

7.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述基座组件的所述顶表面的所述凹部是按尺寸制作，使所述凹部支撑的晶圆具有顶表面，所述顶表面与所述基座组件的所述顶表面实质共平面。

8.如权利要求1所述的处理腔室，其中所述气体分配组件包含数个气体通道。

9.如权利要求2或8所述的处理腔室，其中所述数个气体通道包含第一反应气体通道、第二反应气体通道和至少一净化气体通道。

10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述第一反应气体通道、所述第二反应气体通道和所述至少一净化气体通道经独立控制以提供正压至晶圆的顶表面上，所述晶圆置于所述基座组件的所述凹部。

11.如权利要求10所述的处理腔室，其中晶圆的所述顶表面与晶圆的所述底表面间的压差大于约10托耳，所述晶圆置于所述基座组件的所述凹部。

12.一种在处理腔室中处理晶圆的方法，所述方法包含以下步骤：

把晶圆放置到基座组件的顶表面的凹部，所述晶圆具有顶表面和底表面，所述凹部包括至少一通道，所述通道延伸穿过所述基座组件而至所述基座组件的底表面；

使所述晶圆和所述基座组件通过气体分配组件下方，所述气体分配组件包含数个实质平行的气体通道，以将多个气流导向所述基座组件的所述顶表面；及

在所述晶圆的所述顶表面与所述底表面间产生压差，使导向所述晶圆的所述顶表面的所述气流所产生的压力比所述晶圆的所述底表面的压力大。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述至少一通道设置流体连通所述处理腔室，使所述晶圆的所述底表面的所述压力和所述处理腔室内的所述压力实质相同。

14.如权利要求12或13所述的方法，进一步包含以下步骤：利用加热组件，加热所述基座组件，所述加热组件包含设在所述基座组件底下的数个加热灯具。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述基座组件的所述至少一通道经倾斜，使出自所述数个加热灯具的辐射能无法直接冲击所述晶圆的所述底表面。