[发明专利]发光器件和用于制造发光器件的方法

权利要求书

1.一种发光器件（100），包括：

衬底（102）；

布置在所述衬底上的发光二极管结构（106），所述二极管结构包括第一半导体层（108）、第二半导体层（112）和夹在所述第一半导体层和第二半导体层之间的有源区（110），所述第一半导体层和第二半导体层中的至少一个具有背离所述有源区的光输出表面；

其中所述光输出表面包括多个单独的突出表面结构（104），每个突出表面结构具有峰高度、侧壁斜率和相对于所述衬底的取向，所述多个突出表面结构包括第一组和第二组突出表面结构，所述第一组和第二组突出表面结构在所述峰高度、侧壁斜率和相对于所述衬底的取向中的至少一个上不同，其中

所述多个突出表面结构（104）中的相邻突出表面结构具有相对于所述衬底的不同取向，使得相邻突出表面结构的倾斜侧壁不直接地面对彼此。

2.根据权利要求1所述的发光器件（100），其中所述第一组突出表面结构呈现不同于所述第二组突出表面结构的峰高度和侧壁斜率。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中至少一个突出表面结构具有一侧壁斜率，所述侧壁斜率具有相对于所述衬底大于50°的角度（122）。

4.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中所述多个突出表面结构布置在伪随机图案中。

5.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中突出表面结构的至少一个侧壁斜率角不同于相邻突出表面结构的侧壁斜率角。

6.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中所述第一半导体层和第二半导体层（108、112）之一是p型掺杂层，而另一个是n型掺杂层。

7.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中所述第一半导体层和第二半导体层（108、112）之一是p型GaN层，而另一个是n型GaN层。

8.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中所述第一半导体层和第二半导体层（108、112）之一包括形成所述光输出表面的非掺杂或n掺杂缓冲区。

9.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中所述衬底（102）选自包括蓝宝石、Si和SiC的组。

10.根据权利要求1或2所述的发光器件（100），其中所述有源区（110）是多量子阱结构。