[发明专利]多层结构体、电容器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201480007773.0 | 申请日： | 2014-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN105122401A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 鹤见直明;金武康雄 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;C23C14/56 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;张懿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 结构 电容器 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种多层结构体，其特征在于，具备：
衬底；
配置在所述衬底上的缓冲层；
配置在所述缓冲层上的下部电极；以及
配置在所述下部电极上并由氮化物构成的电介质层。
2.如权利要求1所述的多层结构体，其特征在于，所述电介质层具备非晶。
3.如权利要求1或2所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层具备非晶导体。
4.如权利要求1～3的任一项所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层具备TiAlN、IrTa或CuTa。
5.如权利要求1～4的任一项所述的多层结构体，其特征在于，所述电介质层包含氮，并包含硼、碳、铝、硅之中至少1种。
6.如权利要求1～4的任一项所述的多层结构体，其特征在于，所述电介质层具备BN、BCN、CN、BAlN、BSiN、AlN、或SiN的任一种。
7.如权利要求1～6的任一项所述的多层结构体，其特征在于，所述衬底具备金属箔。
8.如权利要求1～6的任一项所述的多层结构体，其特征在于，所述衬底具备半导体衬底。
9.如权利要求8所述的多层结构体，其特征在于，
具备配置在所述半导体衬底上的绝缘层，
所述缓冲层配置在所述绝缘层上。
10.如权利要求3所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由3d过渡金属和高熔点金属的组合构成。
11.如权利要求10所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由CuTa构成。
12.如权利要求3所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由3d过渡金属和贵金属的组合构成。
13.如权利要求12所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由NiAg、TiAg、NiPt、或NiIr的任一种构成。
14.如权利要求3所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由贵金属和高熔点金属的组合构成。
15.如权利要求14所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由IrTa或PtTa构成。
16.如权利要求3所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由高熔点金属和半金属的组合构成。
17.如权利要求16所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由TaSi、TaAl、WSi、MoSi或NbB的任一种构成。
18.如权利要求3所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由3d过渡金属和半金属和非金属的组合构成。
19.如权利要求18所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由TiAlN、TiAlB、TiSiB、NiAlN、NiAlB、或NiSiB的任一种构成。
20.如权利要求3所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由高熔点金属和半金属和非金属的组合构成。
21.如权利要求20所述的多层结构体，其特征在于，所述缓冲层由TaSiN或TaAlN构成。
22.如权利要求7所述的多层结构体，其特征在于，所述金属箔由Ti、Ni、Cu、Mo、Al、Nb、Ta、Ag、Zr、Au、Pt、W、Ir、V、SUS、42合金、洋白铜、或黄铜的任一单体或层叠结构构成。
23.如权利要求1～22的任一项所述的多层结构体，其特征在于，所述下部电极由以Cr、Mo、Al、Ta、Cu、Ti、Ni、W、Ag的任一种构成的单金属、以CuTa或TiW构成的合金、以Ta2N或TiN构成的氮化物、以WSi2或TiSi构成的硅化物、或以TaB构成的硼化物的任一种单体或层叠结构构成。
24.如权利要求1～23的任一项所述的多层结构体，其特征在于，还具备配置在所述电介质层上的上部电极。
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