[发明专利]Cu-Ga-In-Na靶

权利要求书

1.一种由合金构成的溅镀靶，所述合金由5at％至70at％的至少一种来自Ga，In群组的元素及0.1at％至15at％的Na、剩余Cu及常见杂质组成，其特征在于，所述溅镀靶包含至少一个含Na金属间相。

2.根据权利要求第1项所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，至少一个所述含Na金属间相来自Ga-Na金属间相、In-Na金属间相及Ga-In-Na金属间相的群组。

3.根据上述权利要求中任意一项所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，至少一个所述含Na金属间相来自NaGa₄、Na₅Ga₈、Na₇Ga₁₃、Na₂₂Ga₃₉、NaIn、Na₂In、Na₇In₁₂、Na₁₅In₂₇及Na₁₇Ga₂₉In₁₂的群组。

4.根据权利要求1所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，所述含Na金属间相以均匀分布嵌入由至少一种来自Cu，Ga，In群组的元素所组成的基质中的方式存在。

5.根据权利要求1所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，所述溅镀靶含有大于30at％的Cu。

6.根据权利要求1所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，所述至少一种来自所述Ga，In群组的元素的含量介于20at％与65at％之间。

7.根据权利要求1所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，以at％计的成分比率Ga/(Ga+In)介于0.15与0.35之间。

8.根据权利要求1所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，所述溅镀靶含有介于1at％与5at％之间的Na。

9.根据权利要求1所述的由合金构成的溅镀靶，其特征在于，所述溅镀靶以板状、盘状、棒状、管状或具有其它复杂形状的主体的形式而存在。

10.一种根据上述权利要求中任意一项所述的由合金构成的溅镀靶的用途，所述用途为沉积薄膜太阳能电池的光敏层。

11.一种用于制备溅镀靶的方法，其特征在于，所述方法包含以下步骤：

制备包含至少一个含Na金属间相的预合金粉末。

12.根据权利要求第11项所述的用于制备溅镀靶的方法，其特征在于，所述方法包含以下其他步骤：

制备包含该预合金粉末的粉末混合物，

在模具中装入该粉末混合物。

13.根据权利要求12所述的用于制备溅镀靶的方法，其特征在于，所述方法包含以下其他步骤：

借由施加压力或温度或施加压力及温度来将所述粉末混合物压实成为坯料。

14.根据权利要求13所述的用于制备溅镀靶的方法，其特征在于，其包含以下其他步骤：

通过挤压、锻造或轧制使所述坯料成型。

15.根据权利要求14所述的用于制备溅镀靶的方法，其特征在于，所述方法包含以下其他步骤：

热处理。

16.根据权利要求15所述的用于制备溅镀靶的方法，其特征在于，所述方法包含以下其他步骤：

机械加工。