[发明专利]使用溶液处理PBS光探测器的新型IR图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

包括读出晶体管阵列的基底；以及

红外探测器阵列，包括远离所述基底的透红外电极、直接接触所述基底的对电极、以及包括大量纳米颗粒的红外敏化层。

2.权利要求1所述的图像传感器，其中所述透红外电极包括Ca/Ag双层、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锡氧化物(ATO)、铝锌氧化物(AZO)、碳纳米管、银纳米线，或Mg:Al混合层。

3.权利要求1所述的图像传感器，其中所述纳米颗粒包括PbS量子点、PbSe量子点、PbSSe量子点、酞菁锡(II)(SnPc)与C₆₀(SnPc:C₆₀)、酞菁氯铝(AlPcCl)与C₆₀(AlPcCl:C₆₀)、或者酞菁氧钛(TiOPc)与C₆₀(TiOPc:C₆₀)。

4.权利要求1所述的图像传感器，其中所述纳米颗粒包括PbS量子点和/或PbSe量子点。

5.权利要求1所述的图像传感器，其中所述对电极包括ITO、IZO、ATO、AZO、碳纳米管、Ag、Al、Au、Mo、W或Cr。

6.权利要求1所述的图像传感器，其中所述红外探测器阵列还包括电子阻挡层(EBL)。

7.权利要求6所述的图像传感器，其中所述电子阻挡层(EBL)包括聚(9,9-二辛基-芴-共-N-(4-丁基苯基)二苯基胺)(TFB)、1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)、N,N'-二苯基-N,N'(2-萘基)-(1,1'-苯基)-4,4'-二胺(NPB)、N,N'-二苯基-N,N'-二(间甲苯基)联苯胺(TPD)、聚-N,N-双-4-丁基苯基-N,N-双-苯基联苯胺(聚TPD)、聚苯乙烯-N,N-二苯基-N,N-双(4-正丁基苯基)-(1,10-联苯基)-4,4-二胺-全氟环丁烷(PS-TPD-PFCB)和/或NiO。

8.权利要求1所述的图像传感器，其中所述红外探测器阵列还包括空穴阻挡层(HBL)。

9.权利要求8所述的图像传感器，其中所述HBL包括2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、对-双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BPhen)、三-(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、3,5'-N,N'-二咔唑-苯(mCP)、C₆₀、三[3-(3-吡啶基)-基]硼烷(3TPYMB)、ZnO和/或TiO₂。

10.权利要求1所述的图像传感器，还包括在所述透红外电极外部上的减反射层。

11.权利要求10所述的图像传感器，其中所述减反射层包括Alq₃、MoO₃和/或TeO₂。

12.权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出晶体管阵列包括基于硅晶体管的读出阵列，基于氧化物晶体管的读出阵列，或基于有机晶体管的读出阵列。

13.权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出晶体管阵列包括CMOS读出阵列、a-Si:H TFT阵列或多晶硅TFT阵列。

14.权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出晶体管阵列包括ZnO TFT读出阵列、GIZO TFT阵列或IZO TFT阵列。

15.权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出晶体管阵列包括并五苯TFT读出阵列、P3HT TFT阵列或DNTT TFT阵列。