[发明专利]混合的金属-硅-氧化物阻隔膜

权利要求书

1.一种在基板(210)上形成防潮层(200)的方法，该方法包括：

在25-150℃重复下述顺序的步骤，直至在基板上形成水蒸汽透过率为3×10^-1g/m²/天或更低并且厚度为500埃或更小的混合金属-硅-氧化物膜：

(a)通过使基板支撑的表面与一种非羟基化含硅前体或含金属前体接触，从而在所述表面上化学吸附第一前体；

(b)步骤(a)后，向所述表面提供活性氧物质；

(c)通过使所述表面与另一种非羟基化含硅前体和含金属前体接触，从而在所述表面上化学吸附第二前体；以及

(d)步骤(c)后，向所述表面提供活性氧物质；

其中，所述混合金属-硅-氧化物膜由一种膜组成，该种膜选自由Al_xSi_yO_z膜、Ti_xSi_yO_z膜和Zn_xSi_yO_z膜组成的组。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行步骤(c)和步骤(d)前，重复步骤(a)和(b)二至五次。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，向所述表面提供活性氧物质包括通过裂解干燥的含氧化合物来形成活性氧物质。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述干燥的含氧化合物包括下述气体中的一种或多种：干燥的空气，氧气(O₂)，一氧化碳(CO)，二氧化碳(CO₂)，一氧化氮(NO)，二氧化氮(NO₂)，或N₂和CO₂的混合物。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，裂解含氧化合物包括热裂解干燥气态的含氧化合物以形成活性氧物质。

6.根据权利要求3所述的方法，其中，裂解干燥的含氧化合物包括对干燥气态的含氧化合物进行等离子体激发以形成氧自由基。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述含硅前体包括三(二甲氨基)硅烷、四(二甲氨基)硅烷、双(叔丁胺)硅烷、三芳胺、双(二乙基氨基)硅烷或六乙胺乙硅烷中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述金属有机前体包括三甲基铝(TMA)、四氯化钛(TiCl₄)或二乙基锌(Zn(C₂H₅)₂)中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在50-120℃的温度下重复所述顺序。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述混合金属-硅-氧化物膜的折射率为1.8或更低。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述混合金属-硅-氧化物膜的折射率为1.5～1.8。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将非羟基化含硅前体引入第一区；

将含金属前体引入第二区，所述第二区与第一区是隔离开的；

将干燥的含氧化合物引入位于第一区和第二区之间的隔离区，从而在隔离区与第一区和第二区之间产生正压差；

在基板和前体区之间产生相对移动；以及

在隔离区中接近基板处裂解干燥的含氧化合物，从而产生活性氧物质。

13.根据权利要求1所述的方法，进一步包括用阻隔膜封装基板。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板是刚性的。