[发明专利]光学元件的制造方法以及防反射结构体的制作方法

权利要求书

1.一种光学元件的制造方法，该光学元件具有宏观的非平坦面，所述光学元件的制造方法的特征在于，具有：

第一掩模形成工序，在所述第一掩模形成工序中，将所述宏观的非平坦面划分为多个区域，针对划分出的所述多个区域中的第一区域形成岛状的掩模；

第一蚀刻工序，在所述第一蚀刻工序中，对通过所述第一掩模形成工序形成有岛状的掩模的所述第一区域进行蚀刻而在所述第一区域形成防反射结构体；

第二掩模形成工序，在所述第一蚀刻工序后，在所述第二掩模形成工序中，针对所述多个区域中的与所述第一区域不同的第二区域形成岛状的掩模；以及

第二蚀刻工序，在所述第二蚀刻工序中，对通过所述第二掩模形成工序形成有岛状的掩模的所述第二区域进行蚀刻而在所述第二区域形成防反射结构体。

2.如权利要求1所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

所述第一区域是所述宏观的非平坦面中的相对于所述光学元件的光轴、面角度较小的区域。

3.如权利要求1或2所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述第二掩模形成工序中，以整体上覆盖通过所述第一蚀刻工序在所述第一区域形成的防反射结构体的方式形成掩模，并且，针对与所述第一区域不同的所述第二区域形成岛状的掩模。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

通过所述第一掩模形成工序形成的第一掩模的平均膜厚与通过所述第二掩模形成工序形成的第二掩模的平均膜厚不同。

5.如权利要求4所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

通过所述第一掩模形成工序形成的第一掩模的平均膜厚比通过所述第二掩模形成工序形成的第二掩模的平均膜厚薄。

6.如权利要求4所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

通过所述第一掩模形成工序形成的第一掩模的平均膜厚比通过所述第二掩模形成工序形成的第二掩模的平均膜厚厚。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序与所述第二掩模形成工序之间，具有将附着于所述宏观的非平坦面的掩模除去的掩模除去工序。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述第二蚀刻工序后具有将附着于所述宏观的非平坦面的掩模除去的掩模除去工序。

9.如权利要求1～8中任一项所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述第一掩模形成工序以及在所述第二掩模形成工序中，通过蒸镀、溅射、以及CVD中的任一种来形成掩模。

10.如权利要求1～9中任一项所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

在所述第一蚀刻工序以及所述第二蚀刻工序中，通过离子束以及等离子体中的任一种来蚀刻所述宏观的非平坦面。

11.如权利要求1～10中任一项所述的光学元件的制造方法，其特征在于，

将所述多个区域中的不同于所述第一区域以及所述第二区域的区域划分为一个以上，与所述第一掩模形成工序以及所述第二掩模形成工序中的至少任一方相同的掩模形成工序、以及与所述第一蚀刻工序以及所述第二蚀刻工序中的至少任一方相同的蚀刻工序进行一次以上。

12.一种防反射结构体的制作方法，在具有宏观的非平坦面的光学元件上制作防反射结构体，所述防反射结构体的制作方法的特征在于，具有：

第一掩模形成工序，在所述第一掩模形成工序中，将所述宏观的非平坦面划分为多个区域，针对划分出的所述多个区域中的第一区域形成岛状的掩模；

第一蚀刻工序，在所述第一蚀刻工序中，对通过所述第一掩模形成工序形成有岛状的掩模的所述第一区域进行蚀刻而在所述第一区域形成防反射结构体；

第二掩模形成工序，在所述第一蚀刻工序后，在所述第二掩模形成工序中，针对所述多个区域中的与所述第一区域不同的第二区域形成岛状的掩模；以及

第二蚀刻工序，在所述第二蚀刻工序中，对通过所述第二掩模形成工序形成有岛状的掩模的所述第二区域进行蚀刻而在所述第二区域形成防反射结构体。