[发明专利]保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片

说明书

技术领域

本发明涉及一种保护膜形成用膜，其可在半导体晶圆或半导体芯片上形成保护膜，且可提升半导体芯片的制造效率。特别是涉及以所谓面朝下(face down)模式构装的用于半导体芯片制造的保护膜形成用膜。

背景技术

近年，有使用所谓被称为面朝下(face down)模式的构装法进行半导体装置的制造。在面朝下模式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片(以下，有仅称为“芯片”的情形。)，该电极与基板接合。因此，与芯片的电路面相反侧的面(芯片背面)露出。

该露出的芯片背面，有通过有机膜保护的情形。在以往，具有由该有机膜组成的保护膜的芯片，通过将液状的树脂以旋转涂布法涂布于晶圆背面，干燥、固化并与晶圆一起切断保护膜而得到。但是，由于这样形成的保护膜的厚度精度并不充分，有降低成品率的情形。

为解决上述问题，公开了一种具有包含热或能量线固化性成分的固化性保护膜形成层的芯片用保护膜形成用片的(专利文献1)。

在以往，晶圆本身充分厚时，虽然晶圆本身并不会弯曲，但随着晶圆变薄，产生了以下问题：形成有电路的晶圆表面与没有形成电路的晶圆背面的收缩率差，导致了薄化的晶圆产生弯曲。

弯曲大的晶圆，在之后的芯片制造步骤中有引起输送不良的可能。此外，有因晶圆的弯曲难以切割晶圆的可能。

为消除该晶圆弯曲导致的问题，对粘贴于晶圆背面的保护膜形成用膜，要求矫正晶圆弯曲的性能。

在专利文献2中，使用在热固化时的23℃至165℃的范围内的体积收缩率为100ppm/℃以上400ppm/℃以下、热固化后在23℃的拉伸储存弹性模量为1GPa以上5GPa以下的倒装芯片型半导体背面用膜，抑制或防止半导体晶圆或半导体芯片等的半导体元件发生弯曲。

此外，在专利文献3中，使用热固化所造成的收缩量相对于热固化前的全体积为2体积％以上30体积％以下的倒装芯片型半导体背面用膜，抑制或防止半导体元件发生弯曲。

现有技术文献

专利文献

专利文献1︰日本特开2004-214288号公报

专利文献2︰日本特开2012-33554号公报

专利文献3︰日本特开2011-228499号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题

近年，形成于晶圆表面的电路图案多样化，起因于电路形成而弯曲大的晶圆增多。因此，要求可更显著地矫正晶圆弯曲的保护膜形成用膜，但在专利文献2或专利文献3的倒装芯片型半导体背面用膜中，有无法充分消除晶圆与芯片的弯曲的情形。此外，本发明人等专心尝试进一步提升弯曲矫正功能的结果，在所得到的附有保护膜的芯片中，在保护膜与芯片的接合部上有发生剥离或在保护膜产生裂纹的情形，其可靠度并不充分。

本发明的课题在于提供一种保护膜形成用膜，其可抑制晶圆的弯曲的同时，可在芯片上形成可靠度高的保护膜。

解决技术问题的技术手段

本发明的主旨如下所示。

〔1〕一种保护膜形成用膜，其具有热固化性，

热固化后的玻璃化转变温度为150～300℃，

热固化后在23℃的拉伸弹性模量为0.5～10GPa。

〔2〕如〔1〕所述的保护膜形成用膜，该膜包含含有环氧化合物及胺类固化剂而成的热固化性成分。

〔3〕如权利要求2所述的保护膜形成用膜，其还含有聚合物成分及热固化性聚合物成分的任意一者或两者，相对于总量100质量份的聚合物成分及热固化性聚合物成分，包含135质量份以下的热固化性成分。

〔4〕如〔1〕～〔3〕的任意一项所述的保护膜形成用膜，其中保护膜形成用膜包含无机填充剂，

相对于100质量份构成保护膜形成用膜的所有固体成分，无机填充剂的含量为10～70质量份。

〔5〕根据〔4〕所述的保护膜形成用膜，其中无机填充剂的平均粒径为0.02～5μm。

〔6〕根据〔1〕～〔5〕中任一项所述的保护膜形成用膜，其中保护膜形成用膜包含热固化性聚合物成分，

热固化性聚合物成分为包含含有环氧基的单体作为构成的单体的丙烯酸类聚合物。

〔7〕一种保护膜形成用复合片，其通过在上述〔1〕～〔6〕的任意一项所述的保护膜形成用膜的一个面上形成可剥离的支承片而形成。

发明效果